掺钕钒酸盐激光单晶元件

掺钕钒酸盐激光单晶元件

国家标准 GB/T29420一2012 掺钥酸盐激光单晶元件 N让duped vanadatelasercrystaldevices 2012-12-31发布 2013-08-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管理委员会国家标准
GB/T29420一2012 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给定的规则起草 本标准由建筑材料联合会提出 本标准由全国人工晶体标准化技术委员会(SAC/TC461)归口 本标淮起草单位;科学院福建物质结构研究所,国家光电子晶体材料工程技术研究中心,福建 福晶科技股份有限公司计量学院材料与工程学院 本标准主要起草人兰国政、吴少凡、林文雄、王昌运、张剑虹、李雄、史宏声、秦来顺 本标准为首次制定
GB/T29420一2012 掺钦钥酸盐激光单晶元件 范围 本标准规定了掺钛饥酸盐激光单晶元件的术语和定义,技术要求,试验方法,检验规则及包装、标 识,运输、贮存等过程的要求 本标准适用于掺钛饥酸盐激光单晶元件,其他种类的激光单晶元件也可参照使用 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T11297.1一2002激光棒波前畸变的测量方法 GB/T16601一1996光学表面激光损伤阔值测试方法第1部分1对1测试 GB/T22452一2008棚酸盐非线性光学单晶元件通用技术条件 GB/T22453一2008棚酸盐非线性光学单晶元件质量测试方法 术语和定义 GB/T22452一2008界定的以及下列术语和定义适用于本文件 3.1 掺钛钥酸忆Nddopedyttriumvanadate -种掺钦的饥酸亿激光单晶以及其加工而成的元件 3.2 不垂直度nonperpendicularity 单晶元件通光面与侧面之间的不垂直程度 3.3 光学不均匀性opticalheterogenit 介质折射率的不均匀程度 透射波前畸变transmittedwavefrontdistortion 平行光束的波面透过被检单晶元件后相对于标准参考波面的畸变 技术要求 物理性能 散射 在波长为632.8nm的氮氛激光照射下,单晶元件单位体积(cm)内直径大于104m的散射点不得 多于4个
GB/T29420一2012 4.1.2光学不均匀性 在波长为632.8nm的氮须激光照射下,单晶元件光学不均匀性应不大于1×10-" 4.1.3特定波长单程损耗 单晶元件经过镀制1064nm减反膜后,在波长1064nm处单程损耗应小于1% 4.1.4透射波前畸变 在波长为632.8 氨氛激光的照射下,被测元件的透射波前畸变干涉图“峰-谷”值偏差应不大于 nm 入/4 4.2加工质量 4.2.1尺寸公差 尺寸公差应符合以下要求;w-mm×H8imm×L-松;mm 上式中w为单晶元件通光面的宽度,H为单晶元件通光面的高度,L为单晶元件通光方向的长 度 图1为单晶元件尺寸标注示意图,S所标示的面为通光面 图1单晶元件尺寸标注示意图 4.2.2角度偏差 单晶元件的切割角度偏差要求;>/<0.5",Ap 0.5° 4.2.3不平行度 单晶元件两个通光面的不平行度应不大于30" 4.2.4不垂直度 单晶元件的通光面与侧面之间的不垂直度应不大于30' 4.2.5有效通光孔径 单晶元件的通光表面扣除四周倒角后的可用面积与整个通光面面积的比值为有效通光孔径,其应 不小于85% 4.2.6表面疵病 抛光元件有效通光孔径内,s/D应不大于20/10;镀膜元件,s/D应不大于60/40 4.2.7倒角 倒角的宽度应不大于0.21 mm
GB/T29420一2012 4.2.8崩边,崩口及崩裂 沿边缘向内侧方向延伸宽度g(径向)崩边应不大于0.2 mm 沿边缘方向,崩口宽度之和应不大于0.5mm. 角的崩裂应不大于0.2nmm 4.2.9单晶表面镀膜的光学性能 镀制1064nm增透膜和808nm增透膜,1064nm增透膜膜层的剩余反射率应小于0.2%;808nm 增透膜膜层的剩余反射率应小于3.0% 4.2.10膜层的牢固度 使用3M公司810型号胶带粘拉5次,未出现脱膜或裂膜现象 4.2.11膜层的抗高湿性能 在暴露于温度为45C 一50C,相对湿度为95%一100%的环境至少24h后,或采用加速试验,温 度60C,相对湿度为95%100%的环境2h后,未出现脱膜或裂膜现象 4.2.12膜层的抗温度冲击 将单晶元件放人加热容器中,在40min内,从室温升到100C,在不少于40min时间内降至室温、 未出现脱膜或裂膜现象 4.2.13膜层的抗激光损伤闻值 镀膜表面膜层的抗激光损伤闵值应大于或等于500Mw/em 测试条件为人射激光的光束质量 因子AF应小于1.2,波长为10s手nm.,脉冲宽度为0士2)ms.,重复频率为(0士)H,每个测试点连续 照射10个脉冲,光斑直径为(1.0士0.1)n mm 试验方法 5.1测试的环境要求 洁净等级:优于10000级;温度:(23士2)C;相对湿度:(55士5)% 5.2物理性能 5.2.1散射 散射的测试方法按GB/T224532008执行 5.2.2光学不均匀性 光学不均匀性的测试方法按GB/T22453一2008执行 5.2.3特定波长单程损耗 5.2.3.1测试原理 当功率为P的特定波长光垂直人射晶体,晶体吸收光之后,光功率衰减得到P,利用式(1)计算得
GB/T29420一2012 到特定波长单程损耗L L-(1-岸)X1w% 式中: -特定波长单程损耗 特定波长出射光功率,单位为瓦(w); 特定波长人射光功率,单位为瓦(w). P 测试仪器 5.2.3.2 激光器、起偏器功率计等,测试示意图见图2 说明 -激光器; B -起偏器; G 待测单晶元件; D 探测器 图2特定波长单程损耗测试示意图 5.2.3.3测试步骤 按图2搭建好测试系统 调好光路，调整光斑直径至1mm，稳定特定波长激光功率P，为 100mw,放人待测单晶元件,利用探测器测得P,代人利用式(1)计算得到特定工作波长单程损耗L 5.2.4透射波前畸变 透射波前畸变的测试方达按GBy/T11297.1一2002执行 5.3加工质量 5.3.1尺寸公差 尺寸公差的测试方法按GB/T224532008执行 5.3.2角度偏差 角度偏差的测试方法按GB/T22453一2008执行 5.3.3不平行度 不平行度的测试方法按GB/T22453一2008执行 5.3.4不垂直度 不垂直度的测试方法按GB/T22453一2008执行
GB/T29420一2012 5.3.5有效通光孔径 有效通光孔径的测试方法按GB/T22453一2008执行 5.3.6表面疵病 表面疵病的测试方法按GB/T224532008执行 5.3.7倒角 5.3.7.1测试仪器 带有测微尺的暗场显微镜(200倍放大,准确度为0.001mm),观测平台 5.3.7.2测试方法 在暗场照明下观测单晶元件的倒角宽度 5.3.8崩边,崩口及崩裂 5.3.8.1测试仪器 带有测微尺的暗场显微镜(200倍放大,准确度为0.001mm),观测平台 5.3.8.2测试方法 在暗场照明下观测单晶元件的崩边,崩口及崩裂 5.3.9单晶表面镀膜的光学性能 5.3.9.1测试原理 利用分光光度计测得石英校准片的工作波长反射率,镀膜单晶样品的工作波长反射率和未放样品 的本底工作波长反射率,利用式(2)计算得到镀膜单晶元件的剩余反射率R R R×100% 2 R= R R 式中: 剩余反射率 R R 石英校准片对工作波长的反射率; 镀膜单晶元件对工作波长的反射率 R R -仪器本底对工作波长的反射率 5.3.9.2测试仪器 分光光度计 5.3.9.3测试步骤 把石英校准片放在样品台,设定好扫描波长,得到工作波长反射率 把镀膜单晶元件放在样品台 设定好扫描波长,得到工作波长反射率 取走镀膜单晶元件,设定好扫描波长,得到工作波长反射 利用式(2),计算得到镀膜单晶元件工作波长的剩余反射率R 5.3.10膜层的牢固度 使用宽度为1.6cm的3M公司810型号胶带牢固地贴在镀膜表面时,快速地以垂直于膜面的方向
GB/T29420一2012 将胶带拉起;重复5次,观察是否出现脱膜或裂膜现象 5.3.11膜层的抗高湿性能 在暴露于温度为45C一50C、相对湿度为95%100%的环境至少24h后,或采用加速试验,温 度60,相对湿度为95%100%的环境2h后,观察是否出现脱膜或裂膜现象 5.3.12膜层的抗温度冲击 将单晶元件放人加热容器中,在40min内从室温升到100C,在不少于40min时间内降至室温 观察是否出现脱膜或裂膜现象 5.3.13膜层的抗激光损伤值 膜层的抗激光损伤闵值按GB/T16601一1996执行 检验规则 6.1检验分类 6.1.1出厂检验 出厂检验项目为4.1.1,4.2.1~4.2.8,全检,不合格品剔出 6.1.2型式检验 型式检验检测项目为本标准所要求的全部项目 6.1.2.1 有下列情况时进行型式检验 6.1.2.2 新产晶投产时 a b) 制备工艺有较大改变,可能影响产品质量时 e)出厂检验结果与最近一次型式检验结果有差异时; d)停产三个月恢复生产时 6.1.2.3抽样方法 在同一加工工艺条件制成的产品中随机抽取,抽取量不少于1%,且不低于2件;若该批仅有一件 则抽取该件 6.2判定 检验结果符合本标准要求的,则判定该批产晶为合格 如有不合格项,可自同批产品中加信抽样 对不合格项进行复检 复检结果如全部合格,则该批产品为合格;复检结果如仍有不合格,则判定该批 产品为不合格 包装、标识运输和贮存 7.1包装 7.1.1 内包装 采用弹性膜盒包装 包装时,产品应在超净室内擦拭干净后装人膜盒,通光面不得直接接触包装 物 包装应密封、洁净,防潮防震、防静电和防冲击等
GB/T29420一2012 7.1.2外包装 包装箱内应有装箱单和使用说明书 装箱单应标明:单晶元件名称、数量、尺寸、切割角度、镀膜指 标及生产厂家等 7.2标识 产品外包装上应标明: 生产厂家、厂址; a b)产品名称,数量 执行标准编号; c d 生产日期、保质期" “防潮”“易碎”等图标 “小心轻放”、 e 7.3 运输 产品在运输过程中应轻装轻卸,不得挤压,并采取防震,防潮等措施 7.4贮存 产品存放在洁净等级优于1o000级,温度(23士2)C,相对湿度应不大于30%的环境中 产品保质 期自生产之日起1年

掺钕钒酸盐激光单晶元件GB/T29420-2012

掺钕钒酸盐激光单晶元件是一种重要的激光材料，具有高激发浓度、宽增益带宽、高转换效率等优点。其广泛应用于高功率激光器、医疗器械、通信设备等领域。为了确保掺钕钒酸盐激光单晶元件的质量和性能，国家制定了GB/T29420-2012标准对其进行规范。

GB/T29420-2012标准明确了掺钕钒酸盐激光单晶元件的技术要求和检验方法。其中，技术要求包括化学成分、外观和尺寸、物理和光学性能等方面的指标。例如，元件的化学成分应当满足特定的范围，外观和尺寸应当符合给定的要求，物理和光学性能则需要满足相应的参数值。检验方法则包括对元件各项技术指标的测量和测试方法。

除了技术要求和检验方法，GB/T29420-2012标准还规定了掺钕钒酸盐激光单晶元件的包装、贮存和运输等要求。其中，包装应当采用防震防潮的方式进行，以避免元件在运输和贮存过程中受到损坏和影响其性能。

总之，GB/T29420-2012标准为掺钕钒酸盐激光单晶元件的生产和质量控制提供了明确的规范，有助于保证产品的质量和性能，促进该领域的健康发展。

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