平面型电磁屏蔽材料屏蔽效能测量方法

平面型电磁屏蔽材料屏蔽效能测量方法

国家标准 GB/30142一2013 平面型电磁屏蔽材料屏蔽效能测量方法 Measuringmethodsforshiedingeffrectivenessofplanareleetromagnetie shieldingmaterials 2013-12-17发布 2014-05-10实施 国家质量监督检监检疫总局 发布 国家标准花管理委员会国家标准
GB/T30142一2013 目 次 前言 范围 规范性引用文件 术语和定义 3.1 电薄 3.2屏蔽效能 测量方达 4.1总则 4.2达兰同轴装置法 4.3屏蔽室法 报告要求 附录A(资料性附录)30MHz1.5GHz法兰同轴装置结构图 附录B(资料性附录30MHHz3GHz法兰同轴装置图 附录c规范性附录)屏蔽室谐振频率的计算 20 附录D(资料性附录屏蔽效能数据记录表格 参考文献 22
GB/T30142一2013 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 本标准由电器工业协会提出 本标准由全国电磁屏蔽材料标准化技术委员会(SAC/TC323)归口 本标淮起草单位上海市计量测试技术研究院、计量科学研究院,东南大学、上海晨隆纺织新材 料有限公司、安方高科电磁安全技术(北京)有限公司,天津工业大学,山东天诺光电材料有限公司 本标准起草人;桑显、陈超蝉,黄攀,紫青,蒋全兴,陆福敏,来磊,黄建华,朱安东,齐鲁、朱焰焰
GB/T30142一2013 平面型电磁屏蔽材料屏蔽效能测量方法 范围 本标准规定了10kHz~40GHa频率范围内平面型电磁屏蔽材料的电磁屏蔽效能测量方法 本标准适用于电磁屏蔽织物,电磁屏蔽金属板、电磁屏蔽金属网电磁屏蔽玻璃、电磁屏蔽薄膜电 磁屏蔽塑料、电磁屏蔽橡胶等平面型电磁屏蔽材料的电磁波屏蔽效能的测量 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T25471一2010电磁屏蔽涂料的屏蔽效能测量方法 GB/T26667一2011电磁屏蔽材料术语 术语和定义 GB/T26667一201界定的以及下列术语和定义适用于本文件 3.1电薄eleetrieallthin 试样的厚度远小于(<1/100)试样的导电波长 注:改写GB/T25471一2010,定义3.2 3.2屏蔽效能eleetromagnetieshieding;SsE 在同一激励下的某点上,有屏蔽材料与无屏蔽材料时所测量到的电场强度,磁场强度或功率之比 SE=20lg(E:/E)dB 或SE=20lg(H/H)(dB) 或SE=1lg(P:/P)(dB) 式中: 屏蔽效能dB); SE 无屏蔽材料时的磁场强度; H H 有屏蔽材料时的磁场强度 无屏蔽材料时的电场强度; E E 有屏蔽材料时的电场强度; P 无屏蔽材料时的功率 有屏蔽材料时的功率 注:屏蔽效能通常为负值,但习惯用其绝对值 [GB/T26667一2011,定义2.1.7]
GB/T30142一2013 测量方法 4.1 总则 法兰同轴装置法适用于电薄材料的屏蔽效能测量,根据测量频率范围分为30MHz1.5GHz法兰 同轴装置法,30MHz一3GHz法兰同轴装置法 屏蔽室法适用于屏蔽材料在10kHz40GHz频率范围的屏蔽效能测量 屏蔽室屏蔽效能应大于 被测材料屏蔽效能至少6dB 也可采用屏蔽半暗室或屏蔽全暗室 4.2 法兰同轴装置法 4.2.1测量条件 测量条件应满足以下要求 a)环境温度:23C士5C; b)环境相对湿度:40%一75%; 大气压力:86kPa一106kPa e) d)试样测量前应在上述环境中保持48h o 环境电磁噪声对测量结果不应产生影响 4.2.2测量设备 4.2.2.1法兰同轴装置 法兰同轴装置技术指标应满足以下要求 a)频率范围:30MHz1.5GHz或者30MHz一3GHz b 特性阻抗;50Q; 电压驻波比:之1.2; d)传输损耗;<1dB e 30MHz~1.5GHz法兰同轴装置的结构尺寸参见附录A;30MHz3GHz法兰同轴装置的 结构尺寸参见附录B 4.2.2.2信号发生器 信号发生器技术指标应满足以下要求 a)频率范围:根据测量需求选择; b 输出阻抗;50Q: e电压驻波比;<2.0; d)最大输出功率:>13dBmm. 4.2.2.3频谱分析仪 频谱分析仪技术指标应满足以下要求 频率范围;根据测量需求选择; a b特性阻抗:50Q; 频谱分析仪最小分辨率带宽;<1kHz
GB/T30142一2013 4.2.2.4带跟踪信号源的频谱分析仪 带跟踪信号源的频谱分析仪技术指标应满足以下要求: 频率范围:根据测量需求选择; a b跟踪信号源最大输出功率:>0dBm; 跟踪信号源电压驻波比:<2.0; d)频谱分析仪最小分辨率带宽;<1kIHz 4.2.2.5网络分析仪 网络分析仪技术指标应满足以下要求 a)频率范围;根据测量需求选择; 特性阻抗50Q:; b c)电压驻波比:<2.0; d中频带宽;<1kHz 4.2.2.6衰减器 衰减器技术指标应满足以下要求 a)频率范围;根据测量需求选择; b特性阻抗:50n; 驻波比;<1.2; e) d)衰减量;>6dB(额定功率>1w) 4.2.2.7电缆及连接线 电缆及连接线技术指标应满足以下要求 a)特性阻抗;50Q: b 连接器;N型 4.2.3测量频率点 采用法兰同轴装置法开展测量时,推荐在30MHz、80MHz、300MHz、450MHz、915MHz、 1GHz、1.5GHz,1.8GHz,2.45GHz,3GHz等频率点给出测量结果,并尽量满足用户对测量频率范围 和频率点的要求 4.2.4被测试样要求 用法兰同轴装置测量屏蔽效能的被测试样应满足以下要求 a)被测试样分参考试样和负载试样,参考试样和负载试样应是电薄材料 b 参考试样和负载试样的材质应相同,30MHz一1.5GHz法兰同轴装置法对被测试样的形状和 尺寸要求见图1,30MHz3GHz法兰同轴装置法对被测试样的形状和尺寸要求见图2 图 la),图2a)中参考试样分为两部分画有网纹部分),测量时,中间圆形部分安装在装置的中心 导体上,环形部分安装在装置的外导体法兰上 被测试样应在温度23C士5C,相对湿度40%一75%的条件下存放48h后,立即开展测量 D 参考试样和负载试样厚度应相等(当两种试样平均厚度之差小于254m时,本方法认为参考 试样和负载试样厚度相等),各自表面各点厚度之差应小于平均厚度的5% 将被测试样夹放在法兰同轴装置中,并夹紧被测试样,使被测试样与装置法兰面紧密接触,避
GB/T30142一2013 免因接触不良而引起的测量误差 由于噪声电平会影响接收机的灵敏度,因此测量屏蔽效能值高于60dB以上的待测试样时应 使用双层屏蔽或半刚性电缆 单位为毫米 30.0生230.0生2 30.0士230.0士2" 133 133 -110士0.2 110士0.2 -33,10士0,01 76.2士0.1 -4×中7.2 44×7.2 参考试样 负载试样 b 图1参考试样和负载试样的尺寸要求(30Mlz~1.5Glz法兰同轴装置法) 单位为毫米 -17.6 -p94士0.04 40.36土0.01 p94士0.04 负载试样 b 参考试样 图2参考试样和负载试样的尺寸要求(30MHz~3GHlz法兰同轴装置法》 4.2.5测量方法 用法兰同轴装置对平面型电磁屏蔽材料的屏蔽效能开展测量时,常用的测量方法有:信号发生器 频谱分析仪测量方达、,带跟踪信号源的频谱分析仪测量方法,网络分析仪测量方法 4.2.5.1信号发生器/频谱分析仪测量方法 使用信号发生器/频谱分析仪测量方法的步骤如下 按图3连接测量系统,将满足4.2.2.2要求的信号发生器通过衰减器接人该装置的一端,装置 的另一端通过衰减器与频谱分析仪相连接,测量时注意测量电缆应尽量短; 接通测量设备的电源,待设备工作稳定后进行测量 b 将参考试样固定于法兰同轴装置中,采用30MHz1.5GHz法兰同轴装置时,用力矩改锥拧 紧尼龙螺钉,采用30MHz~3GHz法兰同轴装置时,拧紧旋钮固定并标记至某一个刻度; 信号发生器调到30MHa频率点上,输出电平置于0dBm,调节频谱分析仪频率至30MHz,读 取最大值,并记下此读数P(dBm);
GB/T30142一2013 保持信号发生器输出电平不变,改变信号发生器的输出频率,测量参考试样在不同频率点上的 P dBm); 调松法兰同轴装置,取出参考试样,将负载试样固定于装置中,采用30MHz~1.5GHz法兰同 轴装置时,用力矩改锥以e)中相同力矩拧紧尼龙螺钉,采用30MHz3GH么法兰同饷装置 时,拧紧旋钮至c)步骤的同一刻度; 保持信号发生器频率和输出电平不变,观察频谱分析仪读数,如果读数大于它的噪声电平至少 10dB,记下此时频谱分析仪的读数P.(dBm); h)保持信号发生器的电平输出不变,改变信号发生器的输出频率,测量负载试样在不同频率点上 的P.dBm); 被测试样屏蔽效能应按公式(2)计算 SEB=P一P 试样 信号发生器 衰减器 频谱分析仪 哀减器 法兰同轴转置 图3信号发生器/频谱分析仪测试系统示意图 4.2.5.2带跟踪信号源的频谱分析仪测量方法 使用带跟踪信号源的频谐分析仪测量屏蔽效能的步骤如下 a)按图4要求连接测量系统.将满足4.2.2.4要求的带跟踪信号源的频谱分析仪的输出端与法兰 同轴装置的一端连接,输人端与装置的另一端连接; b接通测量设备的电源,待设备工作稳定后进行测量; 将参考试样固定于法兰同轴装置中,采用30MHz1.5GHz法兰同轴装置时,用力矩改锥拧 c 紧尼龙螺钉,采用30MHz~3GHz法兰同轴装置时,拧紧旋钮固定并标记至某一个刻度 对测量系统做传输校准; dD e 调松法兰同轴装置,取出参考试样,将负载试样固定于装置中,采用30MHz1.5GHz法兰同 轴装置时,用力矩改锥以c)中相同力矩拧紧尼龙螺钉,采用30MHz一3GHz法兰同轴装置 时,拧紧旋钮至e)步骤的同一刻度; 测量负载试样的屏蔽效能 试样 带跟踪僧号源 衰减器 衰减器 的频谱分析仪 法兰同轴装置 图4跟踪信号源/频谱分析仪测量系统示意图
GB/T30142一2013 4.2.5.3网络分析仪测量方法 使用网络分析仪测量屏蔽效能的步骤如下 按图5要求连接测量系统,将满足4.2.2.5要求的网络分析仪输人端与法兰同轴装置的一端相 a 连接,输出端连接装置另一端; b)接通测量设备的电源,待设备工作稳定后进行测量; 将参考试样固定于法兰同轴装置中,采用30MHz~1.5GHz法兰同轴装置时,用力矩改锥拧 紧尼龙螺钉.采用30MH一3GH法兰同轴装置时.拧紧旋钮固定并标记至某一个刻度 d)对测量系统做传输校准; 调松法兰同轴测量装置,取出参考试样,将负载试样固定于装置中,采用30MH么一1.5GH2法 兰同轴装置时,用力矩改锥以e)中相同力矩拧紧尼龙螺钉,采用30MHH一3GHz法兰同轴装 置时,拧紧旋钮至c)步骤的同一刻度 测量负载试样的屏蔽效能 试样 两络分析仪 哀减器 衰减器 法兰同轴装置 图5网络分析仪测量系统示意图 4.3屏蔽室法 4.3.1测量条件 测量条件应满足以下要求 a)环境温度:15C30C; b环境相对湿度;低于80% 大气压力:86kPa~106kPa; c d)试样测量前应在上述环境中保持48h; 环境电磁噪声对测试结果不应产生影响 e 4.3.2测量设备 4.3.2.1屏蔽室 屏蔽室测试窗为正方形,边长不小于0.6m,适用频率范围为10kHHz~40GHz,方形孔中心距屏蔽 室地面高度不小于1m,方形孔边界距侧墙不小于0.5" m 方形孔边沿法兰宽度不小于25mm,法兰应 做导电处理 如仅用于1GH么一40GH&屏蔽效能测量,测试窗尺寸可为0.3mX0.3m,边界距侧壁不小于 0.1m,方形孔边沿法兰宽度不小于25mm,法兰应做导电处理,应保证屏蔽室内天线沿距侧壁不小于 也可使用屏蔽暗箱 0.1m
GB/T30142一2013 4.3.2.2信号发生器 信号发生器应满足以下要求 频率范围:10kHz40GHz; a a)输出阻抗50Q; b)电压驻波比:<2.0; 最大输出功率:>l3dBm 4.3.2.3频谱分析仪 频谱分析仪应满足以下要求 频率范围;9kHz一40GHz; a b)特性阻抗50Q; 频谱分析仪最小分辨率带宽:<1kHHz c 4.3.2.4前置放大器 前置放大器应满足以下要求: 频率范围:10kHz40GHz a b)增益:30dB. 4.3.2.5测量天线 各频段推荐使用的天线见表1 表1 各频段使用的天线 场型 频率范围 天线类型 10kHz一30MH2 磁场 环天线 电场 10kHz一30MHz 垂直极化单极天线 电场 20MHz~200MHz 双锥天线 电场 100MHz~1000MHz 偶极天线 对数周期天线 电场 200MHz一1000MHz 电场 1GHHz一40GHz 喇叭天线 4.3.3测量频率点要求 -般在每10倍频程内选择不少于3个频率点,推荐优先选择表2中的测量频率点,并尽量满足用 户对测量频率范围和频率点的要求 测量时应避开屏蔽室的谐振频率点,谐振频率点的计算见附录C 表2推荐的测量频率点 场型 频率点 磁场 10Hlz、l4kHz,200kHz、1MHz、15MHz、30MHz 10kHz、14kHz,200kHz、IMHz、15MHz,30MHz,80MHlz,300MHz、450MHHz、 电场 915MHz、1GHz、1.5GHz、1.8GHz,2.45GHz,3GHlz、,6GHz、10GHz、18GHz
GB/T30142一2013 4.3.4被测试样要求 用屏蔽室法测量屏蔽效能的被测试样应满足以下要求: 被测试样的面积应大于屏蔽室测试窗的尺寸,被测试样表面应平整; a b)如被测试样表面不导电,应将被测试样边沿不导电表面部分除去,露出导电表面,保证被测试 样安装时被测试样四周边沿与测试窗有良好的导电连接 4.3.5测量配置 将被测试样放置在屏蔽室测试窗时,测试窗的法兰面上应安装导电衬垫,导电衬垫的屏蔽效能应大 于试样屏蔽效能10dB以上 被测试样的边沿用导电胶带封贴,将被测试样贴在测试窗上,用压力钳夹 紧被测试样或用螺钉固定被测试样,保证被测试样与屏蔽室测试窗良好的电连接,避免因电接触不良引 人测量偏差 发射天线放置在屏蔽室外部,接收天线放置在屏蔽室内部 屏蔽室内尽量不放置与测量无关的金 1,天线、仪器、屏蔽室内的其他物体,位置保持不变 10kHz30MHz频率范围 在剥量过中 属物体 内测量磁场屏蔽时环天线采用共轴法布置;10kHz一30MHz频率范围内测量电场屏蔽时天线采用垂 直放置,天线放置高度要保证天线杆底部与测试窗底部平行;在30MHHz40GHz频率范围内,测试天 线应垂直极化放置,发射、接收天线对准屏蔽室测试窗的中心;在200MHz一1000MHz频率范围内 优先选择偶极天线 天线距屏蔽材料的距离应满足表3的要求 表3天线距屏蔽材料的距离 场型 频率范围 距岗 磁场 0kHz~30MHz 0.3m 电场 10kHz30MHz 0,3nm 电场 30MHz1000MHHz 1.0m 电场 1GHz18GHz 0,.6mm 18GHz40GH2 电场 0.3m 4.3.6测量步骤 屏蔽效能测量步骤如下: a)按图6或图7连接测量设备,测量设备按说明书要求预热 b)打开屏蔽室测试窗 设置发射设备合适的输出电平,读取频谱分析仪上所有测量频率点的电平指示值 C D 将被测试样安装在测试窗上,并将所有的压力钳(或专用螺钉)锁紧; 保持信号发生器各频率点输出电平与c)中相同,读取频谱分析仪上所有测量频率点的电平指 示值; 根据公式(I1)计算各测量频率点被测试样的屏蔽效能
GB/T30142一2013 接收天线 被测试样 ;这 发射天线 lm 0.后 G - 接收设备 发射没备 图6屏蔽室法测试配置图(0.6m窗口) 通过式连接器 发射天线 接收天线 0.3m 0.lm 被测试样 发射设备 揍收设备 图7屏蔽室法测量配置图(0.3m窗口 报告要求 测量报告应包括被测试样的主要信息 a)被测试样的标识,如试样名称,生产厂家,型号,编号等信息; b测量设备的标识,如商标,型号、序列号等信息; e)被测试验的环境条件,如温度、湿度等信息; d)试验方法; 测量的频率点和屏蔽效能值 e) 推荐使用的屏蔽效能测量数据记录表格见附录D. 必要时.被测试样测量报告应给出所测屏蔽效能值的不确定度 不确定度的来源分析应考虑材料、 传输线的失配、测量系统的动态范围及辅助设备的影响等
GB/T30142一2013 附 录A 资料性附录 30lz~1.5GHz法兰同轴装置结构图 图A.1和图A.2分别为法兰同轴装置的整体装配图和分体装配图;图A.3图A.9分别为中心导 体压块,外导体压圈,外导体法兰段、中心导体直线段、中心导体支撑块,中心导体锥形段及外导体锥形 段零件图 待测试样 尼龙螺钉 法兰同轴装置调整合适后,在固定法兰$110的中心圆上选两个适当位置配装办4圆柱定位销 法兰同轴装置需要 配用两个N型同轴连接器,四个M6×20尼龙连接螺钉 图A.130MMz1.5cHz法兰同轴整体装置图 说明 心导体压块,见图 A.3 外导体压圈,见图A.4; 外导体法兰段,见图A.5; 中心导体直线段,见图A.6r 中心导体支撑块,见图A.7. 中心导体锥形段,见图A.8 -外导体锥形段,见图A.9. 装配后,精加工8面,保证其相对于A的距离为0.03mm士0.01mm;装配后,精加工C面,保证与B面高度一致 允差为士0.01mm 图A.230Mz1.5GHz法兰同轴分体装置图 10
GB/T30142一2013 单位为毫米 其会 6.70.1 2发跳- 材料黄制 图A.3中心导体压块 单位为毫米 其余 87.8士0.1 临 OG 坚 2.95土0.01- 材料;黄制 图A.4外导体压圈 1
GB/T30142一2013 单位为毫米 其余 30°士2？ 30?士2 2.9士0. 6.8士0.！ 2×6.9 12 装 例10土0.2 12.2士0.1 37.6土0.3 2xM6- 45.20.3 73.4士O. 说明 1.材料;黄铜 2.锐边倒角:0.5×45"; 3.外表面镀镍,厚度;6Am. 图A.5外导体法兰段 单位为毫米 其余 73.8(参考 0.5x45" 34.4 兽 47.8士0. -9.4土0.l 61.9士0.1 64.4土0.! 材料,黄制 图A.6中心导体直线段 12
GB/T30142一2013 单位为毫米 、 其余 6o" 4.1土0.1 33.10士0.01 -27.8士0.1 45.0士0.1 3.5士0.1 81.92士0.01 -7.2土0.1 6×R6.4 材料;聚丙烯 图A.7中心导体支撑块 单位为毫米 全前 6: -豆 5 l.6士0.1l i12.9" 20.9士0.1 79.8土0.1 124.8士0.1 说明 1.材料;黄铜 2.尺寸124.8nmm,留1.3mm装调 图A.8中心导体锥形段 13
GB/T30142一2013 单位为毫米 全那特 128.4士0.1 101.8士0.1 55.9土0.1 25.4士0.1 7.9土0.8 8 6.0土0.1 7.00士0.01 9.50土0.01 12土0.1 76士0.1 88.1士0. 96.7士0.1 说明 1.材料;黄铜 2.锐边倒角;0.5×45°; 3.外表面镀镍;厚度;6Am. 图A.9外导体锥形段 14
GB/T30142一2013 附 录 B 资料性附录 30Mlz~3GlH法兰同轴装置图 B.130Mz~3GHHa法兰同轴装置整体装配图 30MHz3GHa法兰同轴装置通过特定的导轨夹具(见图B.1)固定,允许的不同心度16.64m 以内 图B.1导轨夹具与法兰同轴装置 图B,2和图B.3为30MHz3GHz法兰同轴装置的整体装配图和分体装配图 15
GB/T30142一2013 图B.230Mz~3Gz法兰同轴装置整体装配图 说明 带法兰盘的N型同轴接口阴性),根据标准,示意图见图B.4; 带法兰盘的外导体,见图B.5 -外导体法兰盘前端面,见图B.6; 支撑介质,见图B7 -带形过渡段的内导体,见图B.8; 内导体分段,见图B9. 图B.330MHz~3GHz法兰同轴装置分体装配图 B.2尺寸结构图 30MHz3GHz法兰同轴装置由左右对称的两部分构成,本附录仅提供半边尺寸 图B.4至 图B.7分别是带法兰盘的N型同轴接口(阴性、带法兰盘的外导体,外导体法兰盘前端面、支撑介质、带 16
GB/T30142一2013 锥形过渡段的内导体、内导体分段 在实际加工时应保证内导体断面比外导体法兰端面高0.2mm. 单位为毫米 31.00 2.10 19.25 35.00 4x3.50追 灼分25.4周 图B4带法兰盘的N型同轴接口(阴性)示意图 单位为毫米 6.0o. 10.00 2.00 2.50 1.000.02 S 意 装 3.000.02 28.25士o.01 xM3X0.56.0 3.00轻 均分25.4周 (37.25 材料;黄铜 图B.5带法兰盘的外导体 17
GB/T30142一2013 单位为毫米 剖面一 10.0o 94.00主0.04 4.00士0.04 40.36士0.04 材料:黄铜 图B.6外导体法兰盘前端面 单位为毫米 剖面4一4 45.04 436.00 2-0.85t0.10 20.00 1.30o.10 13.34 3.00士0.10 材料;聚四氟乙烯 图B.7支撑介质 18
GB/T30142一2013 单位为毫米 5.00 品 吕 正 S M6.00T6.0 2.00o.01 I.00t.01 .上 28.250.01 材料;黄制 图B.8带锥形过渡段的内导体 单位为毫米 4.8o 4.00 17.60 5.00 帆.00显丝 材料;黄制 图B.9内导体分段 19
GB/T30142一2013 c 附 录 规范性附录 屏蔽室谐振频率的计算 C.1屏蔽室的谐振 由于屏蔽室谐振的影响,屏蔽效能测量结果会产生很大的变化,测量屏蔽效能应避开谐振频率点 谐振频率的计算 谐振频率与屏蔽室的几何尺寸有关,平行六面体结构的屏蔽室谐振频率计算按公式(C.1): C.1 "[G++ fmk=150 式中: 谐振频率,单位为兆赫兹(MHa); Jnnk 为0、1、2,3，,n、k只能有一个取0; m、n、k -为屏蔽室的边长,单位为米(m),且a>b>e a、b、e 最低谐振频率计算按公式(C.2): C.2 f=150 式中: 最低谐振频率,单位为兆赫兹(MH2): 常见屏蔽室的最低谐振频率见表C.1 表c.1常见屏蔽室的最低谐振频率 b/m 12 14 a/m 10 f/MHz 79. 77.3 石 155 106.1 83.9 76.5 76.0 83.9 53.0 45.1 41.9 39.0 38.7 40.4 39.5 79.1 45.1 35.4 31.3 29.2 28.0 27.2 26.7 77.3 41.9 31.3 26.5 24.0 22.5 21.6 21.0 10 76.5 40,4 29.2 24.0 21.2 19.5 18.4 17.7 12 76.0 39.5 28.0 22.5 19.5 17.7 16.5 15.6 14 75,8 39.0 27.2 21.6 18.4 16.5 15.2 14.2 17.7 ？ 16 26.7 75,6 38,7 21.0 15,6 14." 13.3 18 38.4 26. 20.5 15.0 13.6 75.5 17.2 12.5 20 75 38.2 26.l 20.2 16.8 14.6 13. 12.0 心
GB/T30142一2013 附 录D 资料性附录 屏蔽效能数据记录表格 屏蔽效能测量数据记录表格如表D.1 表D.1屏蔽效能测量数据记录表格 频率/MHz P1/dBm Pa/dBm SE/dB 30 80 300 45o 915 1000 1500 1800 2450 3000 其中 P为放人参考试样时测得的功率值; a" b P为放人负载试样时测得的功率值 SE为被测试样的屏蔽效能 c 21
GB/T30142一2013 参 考 文 献 [1]GJB6190一2008电磁屏蔽材料屏蔽效能测量方法 [2 GB/T121902006电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法 材料屏蔽效能的测量方法 C3幻]s20524一1996 []AsTMD935一200stamdardTetMethoadarMasuringtheBletromgneticsihiedinEife tivenessofPlanarMaterials 22

平面型电磁屏蔽材料的屏蔽效能测量方法GB/T30142-2013

在现代通讯与电子技术的发展过程中，电磁辐射污染问题逐渐受到人们的关注。电磁辐射对人体健康的影响成为社会广泛关注的话题。因此，为了保障人类健康和电子设备的正常运行，需要采取一系列有效的措施来减少电磁辐射。 平面型电磁屏蔽材料是一种可以有效屏蔽电磁辐射的材料，具有广泛的应用前景。为了保证平面型电磁屏蔽材料的屏蔽效果，需要对其屏蔽效能进行测量。下面将详细介绍平面型电磁屏蔽材料的屏蔽效能测量方法。 1.屏蔽效能的测量原理 平面型电磁屏蔽材料的屏蔽效能指的是该材料对电磁辐射能力的阻隔程度。其测量原理是将待测物件与一个标准天线放在同一空间内，并通过测量电磁波源和标准天线之间的传输过程来确定屏蔽效能值。 2.屏蔽效能的测量方法 2.1 站点法 站点法是平面型电磁屏蔽材料屏蔽效能测试中最常用的方法之一。该方法需要使用场强计和标准天线等设备，通过在不同位置上测量电磁波的信号强度，并计算出电磁信号在材料中传播时的损耗程度，从而确定材料的屏蔽效能值。 2.2 平面波法 平面波法是一种在实验室环境下进行的测试方法，主要用于测量微波频段的平面型电磁屏蔽材料。该方法利用平行板波导和网络分析仪进行测试，通过测量电磁波在材料中的传播情况，并以此计算出材料的屏蔽效能值。 3.相关标准GB/T30142-2013 GB/T30142-2013是国家关于平面型电磁屏蔽材料屏蔽效能测试的标准，该标准制定了不同测试方法的具体实施步骤和计算公式。该标准为平面型电磁屏蔽材料的屏蔽效能测量提供了统一的技术规范和参考依据。 总之，平面型电磁屏蔽材料的屏蔽效能测量方法是非常重要的，因为它直接关系到电子设备的使用效果和人体健康。通过合理选择测试方法和遵循相关标准，可以保证测量结果的准确性和可靠性，从而为电子设备使用和人体健康保驾护航。 值得注意的是，平面型电磁屏蔽材料的屏蔽效能测试不仅需要技术手段的保障，还需要经验丰富的测试人员进行操作和数据处理。因此，在进行测试之前，需要充分了解测试方法和要求，并选择专业的测试机构或人员进行测试。同时，在测试过程中应注意安全防护措施，避免对人体和设备造成不必要的伤害。 总之，平面型电磁屏蔽材料的屏蔽效能测量方法是非常重要的，因为它直接关系到电子设备的使用效果和人体健康。通过合理选择测试方法和遵循相关标准，可以保证测量结果的准确性和可靠性，从而为电子设备使用和人体健康保驾护航。

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