半导体分立器件文字符号

半导体分立器件文字符号

国家标准作 GB/T114992001 半导体分立器件文字符号 Lettersymbolsfordiseretesemiconduetordevices 2001-11-05发布 2002-06-01实施 固家益，醒 发布国家标准
GB/T11499-2001 目 次 前言 范围 总则 整流二极管 8 信号二极管(包括开关二极管)和调整二极管 10 射频二极管 13 光电子器件 19 闸流晶体管 24 双极晶体管 28 绝缘栅双极晶体管(IGBT 33 场效应晶体管 10 34 11 其他半导体器件 38
GB/T11499-2001 言 前 本标准参照了下列国际标准的有关文字符号的内容,对GB/T114991989进行修订 1EC60747半导体器件分立器件和集成电路 IEC60747-1l;1983第1部分总则 IEC60747-1;1991第一次补充 IEC60747-1:1993第二次补充 EC60747-1l:1996第三次补充 IEC60747-2:200o第2部分整流二极管 IEC60747-3:1985第3部分信号二极管(包括开关二极管)和调整二极管 IEC60747-3:1991第一次补充 IEC6074 1993第二次补充 47-3:; 1EC60747-4:1991第4部分微波器件 第 IEC60747-4:l993 -次补充 第二次补充 IEC60747-4:1999 第5部分光电子器件 IEC60747-5:1992 第 IEC60747-5:1994 -次补充 IEC60747-5,1995第二次补充 IEC60747-6;1983 第目部分闸流晶体管 1EC60747-6;1991 第 次补充 IEc60747-6;1994 第二次补充 EC60747-71988第7部分双极晶体管 IEC60747-7;1991 第一次补充 IEC60747-7;1994第二次补充 IEC60747-8;1984第8部分场效应晶体管 IEC60747-8:1991第一次补充 IEC60747-8;1993第二次补充 EC60747-9:1998第9部分绝缘栅双极晶体管 本标准与原标准的主要差别是: 原标准全文中“功率耗散”都改为“耗散功率” 修改了原标准中“2.1. 大写基本字母” 修改了原标准中“2.1.3电流电压和功率文字符号规则汇总表” 修改了原标准中“2.3其他量的文字符号” 修改了原标准中“2.4其他参数”中的部分内容; 删除了原标准中“6.2.2.2其他”中的部分内容; 补充了“2.l.5电流、电压极性标记”; “2.5用分贝(dB)表示的以对数形式为单位的信号比的文字符号” 补充了" 补充了“6.1.1开关时间” 补充了“第9章绝缘栅双极晶体管”
GB/T11499-2001 本标准自实施之日起,代替GB/T114991989(半导体分立器件文字符号》 本标准由信息产业部提出 本标准由全国半导体分立器件标准化分技术委员会归口 本标准由河北半导体研究所负责修订 本标准主要起草人;崔波,顾振球、陈海蓉 本标准首次发布时间:1989年3月31日
国家标准 GB/T114992001 半导体分立器件文字符号 代替GB/T 1l4991989 dliscretesemiconductordevices l.eterymbholstor 范围 本标准规定了半导体分立器件主要的文字符号 本标准适用于编写半导体分立器件有关标准和有 关技术资料 总则 21电流、电压和电功率的文字符号 2.1.1基本字母 推荐的基本字母有 电流 I," U',u或V,o" 电压 P,！ 功率 2.1.1.1大写基本字母的使用 大写基本字母用来表示量的恒定值或从量的周期性波形中得到的值: a直流值; b最大(峰)值; c平均值; 方均根值; d e)峰峰(摆幅)值 2.11.2小写基本字母的使用 小写基本字母用来表示量的周期性波形的瞬态值 2.1.2下标 2.1.2.1推荐的通用下标 第一下标,F， -正向 噪声 n 反向 R 其他下标:(AV 平均值 BR 击穿 cr),cr 临界 (D 直接 M(MAX),m(max) 相对于时间的最大(峰)值 相对于时间的最小(峰)值 MIN,min 国家质量监督检验检疫总局2001-11-05批准 2002-06-01实施
GB/T114992001 开路 O,o (OV) 过载 PPp).(p 峰峰,摆幅 重复,恢复 R,r 方均根值 (R.M.S.),(r.m.s. S,s 短路,浪涌 -总值 tot),tot 注;推荐的其他下标,可见本标准的其他各章 2.1.2.2大写和小写下标的选择 在2.1.2.1中同时列出了大写和小写字母的地方,采用大写字母还是小写字母,应符合2.1.2.2.1 如果采用的下标多于一个,则应全用大写字母或全用小写字母 和2.1.2.2.2的要求 2.1.2.2.1大写下标的使用 大写下标用来表示总量: a直流值,例如:lmo,l b总的瞬态值,例如;n; c)总的平均值,例如:IAw; d总的最大(峰)值,例如:l; e 总的方均根值,例如:lwAws) f总的峰峰值,例如:Vop 2.1.2.2.2小写下标的使用 a小写下标仅用来表示变化的分量值(包括小信号调制)即: 1交变分量的瞬态值 例如;i 2)交变分量的最大(峰)值 例如:lm 3交变分量的方均根值 例如;I或 rms 注:推荐使用Ime 4交变分量的峰峰值 例如:Va7 b当与大写下标一起使用时,可以省略其必须的括号 例如:Ve CEar 2.1.2.3关于下标的补充规定 2.1.2.3.1电流的下标 a如果需要指明电流流过的引出端,则用第一个下标来表示(除去例外) 电流流过的另一引出端 可用随后的下标表示 例如;晶体管的基极电流 '匣=0的晶体管集电极发射极截止电流les 场效应晶体管正向栅流let b例外;在闸流管正、反向栅极电流的文字符号中,字母“F”或“R”分别放在引出端符号下标的 前面
GB/T114992001 例如;闸流管正向栅流m 闸流管反向栅流ed 2.1.2.3.2电压的下标 a如果需要指明被测电压的两个端点,则可用前两个下标表示(除去例外) 第一个下标表示器件 的一个端点,第二个下标表示参考点或电路的节点 当不发生混淆时,表示参考点的字母可以省略 晶体管V比=0时的集电极-发射极(直流)电压 例如: VcEs 晶体管基极-发射极电压 V或V 场效应晶体管正向栅源电压 Vs9 b例外 VR )P型闸流管正向栅极电压 GK VR P型闸流管反向栅极电压 RGK N型闸流管正向栅极电压 Vea N型闸流管反向栅极电压 VRG 击穿电压的文字符号,下标(BR)放在引出端下标前面 22 例如 V =0时集电极-发射极击穿电压 RXcEO 2.1.2.3.3电源电压和电源电流的下标 电源电压和电源电流可用重复相应引出端的下标来表示 例如:Vcc,l 注:如果需要指明参考引出端,则要使用第三个下标 例如:UcE或Vcc 2.1.2.3.4具有多个同种引出端器件的下标 如果器件的同种引出端多于一个,则下标用相应引出端的文字符号并在其后面跟着一个数字来表 示;在多个下标的情况下,需加上连字符号,以免误解 例如:l 流经第二基极引出端的直流电流 心 2.1.23.5复合器件的下标 对于复合单元器件的下标,改用一个数字再加上一个下标字母来表示,在有多个下标的情况下,需 加上连字符号,以免误解 例如:lc流经第二单元集电极引出端的直流电流 第一单元和第二单元集电极引出端之间的直流电压 c-c 2.1.3电流,电压和功率文字符号规则汇总表 下表是对2.1.1和2.1.2各项规则的应用说明 字 基 小写(i,, 大写(,V,P 仅对引出端下标 交变分量的方均根值推荐使用附加下标(r.m,s. 带有引出端下标和下列附加下标之一的: 电极或引 仅对引出端下标: m;交变分量的最大瞬态值 小写 出端下标 交变分量的瞬态值 min:交变分量的最小瞬态值 r.m.s);交变分量的方均根值 (pp);交变分量的峰峰值
GB/T114992001 表完 凡 基 本 字 小写(Gi,v,) 大写(u,V,P" 仅对可出霸下标 直流电流或电压值(推荐使用附加下标(D 带有引出端下标和下列附加下标之一的: D);直流电流或电压值 电极或引 仅对引出端下标; (AV):总平均值 大写 出端下标 总的瞬态值 M:总的最大瞬态值 N总的最小瞬态值 MIN R.M.S);总的方均根值 (PP):总的峰峰值 2.1.4规则应用示例 图1表示的是由直流和交变分量组成的晶体管集电极电流 lem% 交变分量 均方根值 交变分量最 交变分量 大峰)值 的脚态值 leplep 总峰峰值 交变分量最 交变分量的 小峰值 lcA);lcnm) 直流分量 总平均值 总最大值 lesey (MIN 总均方 总瞬态值 总最小值 根值 图1周期量的规则应用示例 2.1.5电流、电压极性表示 注:下面叙述的这种表示方法,只有当基本文字符号或负文字符号分别按2.1.2.3.1和2.1.2.3.2构成时才适用 也就是说对于基本规则没有例外 当不是用这种方式表示时,应该给出极性表示的合适方法 例如正向/反向栅极电流/电压,这种表示方法是定 义的一部分 21.5.1电流(流过 一个引出端 21.511基本文字符号 基本文字符号,如果电流是从外电路流人端口X,就认为它是正值 如果电流是从端口X流出外 电路则认为它是负值 .1.5.1.2负文字符号 负文字符号-l,如果电流是从外电路流人端口X,就认为它是负值 如果电流是从端口X流出外
GB/T114992001 电路则认为它是正值 注:它遵循代数规则即=一5A可表示为一=5A 2.1.5.2电压(二端口之间 2.1.5.2.1基本文字符号 当用基本文字符号V表示电压时,如果端口x比端口Y电位高,则认为电压为正值 如果端口N 比端口Y电位低,则认为电压为负值 22. 15.2.2负文字符号 当用负文字符号-Vx表示电压时,如果端口x比端口Y电位低,则认为电压为正值 如果端口N 比端口Y电位高,则认为电压为负值 注;它遵循代数规则;即V=-5V可表示为一vw=5V 2.2电参数的文字符号规则 2.21定义 在本标准中,“电参数”这一术语适用于四端矩阵参数,等效电路元件,阻抗和导纳、电感和电容 2.2.2基本字母 2221推荐的基本字母 下面列出了用于半导体器件电参数的重要的基本字母 电纳;四端矩阵导纳参数(y)的虚部 B,b 电容 电导;四端矩阵导纳参数()的实部 G,g H,h -四端矩阵的混合(h)参数 电感 电阻;四端矩阵阻抗参数(Z)的实部 R，" 电抗;四端矩阵阻抗参数(Zz)的虚部 X,r 导纳;四端矩阵导纳参数(Y) 阻抗;四端矩阵阻抗参数(Z 2.2.2.2大写字母的使用 大写字母用来表示 a)外电路的电参数或器件仅作为其中一部分的电路的电参数 各种电感,电容 b 222.3小写字母的使用 小写字母用来表示器件固有的电参数(电感和电容除外,见2.2.2.2中的b) 2.2.3下标 223.1推荐的通用下标 下面列出了用于半导体器件电参数的重要的通用下标 F, 正向;正向传输 I,i 输人 输出 O),o T 耗尽层 R,， 反向;反向传输 1l 输人 输出 22 仅用于四端矩阵参数,见2.2.3.3 反向传输 12 21 正向传输
GB/T114992001 输人 可用于除四端矩阵参数之外的所有电参数 输出 注;推荐的其他下标,可见本标准的其他各章 2.23.2大写和小写下标的选择 在2.2.3.1中同时列出了大写和小写字母的地方,采用大写字母还是小写字母应符合2.2.3.2.1 和2.2.3.2.2的要求 如果采用的下标多于一个,则应全用大写字母或全用小写字母 例姐.he,yw ,he 2.2.3.2.1大写下标使用 大写下标用来表示静态(直流)值 -共基极组态中正向电流传输比的静态值 例如;hat或hrr 发射极外接电阻的直流值 Re 2.2.3.2.2小写下标的使用 小写下标用来表示小信号值 例如;he或h6 -共发射极组态中,短路正向电流传输比的小信号值 Z =R十X 外接阻抗的小信号值 2.2.3.3四端矩阵参数的下标 四端矩阵的每个参数按如下规则来规定 a第一下标 第一字母下标或两个数字的下标(均选自2.2.3.1中的下标)表示输人、输出、正向传输或反向 传输 例如，A或h h或h h或h h或h b第二下标 第二下标是用来表示电路组态的 在不会发生混淆时,这些下标可以省略 例如;h或he,h或h 如果只写为h,则电路组态必须是已知的 如果只写为ha,则电路组态及参数类别(小信号值或静 态值)都必须是已知的 2.2.4实部和虚部的区分 如果需要区分电参数的实部和虚部,不必再附加新的下标 如果已经有了实部和虚部的基本符号 则可采用 例如:Z =R.十X y=Gh十jB 如果还没有这种符号,或虽有但不适用,则应使用下面的符号 -R.Chn)等，表示A儿等的实部 I.(h1)等,表示h等的虚部 2.3其他量的文字符号 231时间,持续时间 基本文字符号是 例如;上升时间 2.3.2热特性和有关的温度 2.3.2.1温度的基本文字符号
GB/T114992001 基本文字符号是T,表示摄氏温度或热力学温度 例如T,=25C,T.=295K 注，反对用小写字母/表示温度 2.3.2.2推荐的通用下标 结(沟道)(见注1 有效结(沟道)内部等效结(见注』和注2) vj,VI c,C 壳(见注3 沟道(见注1 ch 参考点(见注3) r,R 环境(见注3,注4) a,A s,s 热沉 f,F 致冷液,非空气的 衬底 sb 存贮 stg sld 焊接 工作(见注4) op h,0 热 注 下标j或J),v(或VJ)可以代替ch来表示“沟道" 在数据记录和详细规范中通常指有效结(沟道)温度,因此下标中字母V可以省略 不要使用像“ase”,“ref”,“amb"这样很长的下标,当用它们表示热阻或阻抗时,应把它们用连字符分开并加括 号,例R amh)" 在工作温度的文字符号中,例如用T'表示“工作环境温度”,在不引起混淆的前提下下标op通常在数据记录 中省去 2.3.2.3热阻和热阻抗的文字符号的组成 注:在推荐的文字符号中,字母xy或x.Y表示热阻或热阻抗展开的点阵或区域 这些下标应从2.3.2.2中选取 23.2.3.1热阻 基本构成是;Rtc一),,Rhix-y 2.3.2.3.2瞬态热阻抗 基本构成是:Z ,Zas-一" h(s一y 2.3.2.3.3脉冲条件下的瞬态热阻抗 基本构成是;Z Zap(,Zsp(x-y 2.3.3频率 基本符号是/ 例如:f 最高振荡频率 2.4其他参数 推荐使用下列参数符号 K 热降额系数 平均噪声系数 F,F 点噪声系数 F N 输出噪声比 两端口)等效输人噪声电压 V 两端口)等效输人噪声电流 I T 噪声温度
GB/T114992001 基准噪声温度 T,T' 2.5用分贝(dB)表示的以对数形式为单位的信号比的文字符号 2.5.1功率比 符号“dB”用来表示两个功率值的比取以10为底的对数,并用分贝表示时的对数单位,用下面公式 表示 n=10lg(P/P)dB (1) 注，原则上符号"dB"只能表示功率的比,也见2.5.2的注. 2.5.2电压比(或电流比 符号“dB(V)”(或“dB()”)用来表示两个电压值(或电流值)的比取以10为底的对数并用分贝表示 时的对数单位,用下面公式表示: 2 20lg(V/V)dB(V 或n=20lg(l/1dB( 3 注:当并且只当V和V.或和)的电阻相等或差异可以忽略不计时,公式(2)或(3)计算所得的数值可以用dB 表示,因为对应于功率的公式(1)的应用可以得到同样的"值 整流二极管 3.1整流二极管通用下标的补充规定 3.1.1电压、电流和功率的下标 A,a" 阳极 K,k 阴极 O 整流输出的平均值 (TO 值 3.1.2电参数的下标 斜率 R， 恢复,整流 W 工作 3.2文字符号表 3.2.1电压 称 注 文字符号 正向直流电压 V v 反向直流电压 正向峰值电压最高正向电压 VeM 正向平均电压 为规定值 Vr(Aw vw0 反向工作峰值电压(最高反向工作电压) 反向重复峰值电压(最高反向重复电压 VwR 反向不重复峰值电压(反向瞬态峰值电压) 其中部分符号的示意图见图2 e 正向恢复电压 VeR 正向恢复峰值电压 VrRM 击穿电压 VR 瞬态击穿电压 uR3 正向斜率电阻 HT ~值电压 Vro MOr
GB/T114992001 r 0 RwN VRRM ''s V 图2整流二极管反向电压参数的文字符号示意图 3.2.2电流 称 文字符号 注 正向直流电流 正向重复峰值电流 其中部分符号的示意图见图3 leRM 正向电流方均根 IrRMs 正向过载电流 low 正向(不重复)浪涌电流 rsw 整流输出平均电流 反向直流电流 反向平均电流 为规定值 IRIAw 正向平均电流 p(Aw 反向恢复电流 iR 反向恢复峰值电流 I 壳体非破坏峰值电流 IRsMe rw Ilc IrRM 图3整流二极管正向电流参数的文字符号示意图
GB/T114992001 3.2.3功率 称 文字符号 注 P 正向耗散功率 反向耗散功率 P 开通耗散功率 开通平均耗散功率 'eAw 开通瞬态总耗散功率 P'er 开通峰值耗散功率 PrM 关断耗散功率 关断平均耗散功率 'RoAY 关断瞬态总耗散功率 P'o 关断峰值耗散功率 PRoM 反向重复峰值耗散功率 PeRo0 反向(不重复)浪涌耗散功率 PesM 3.2.4开关 称 文字符号 正向恢复时间 tine 反向恢复时间 tm 反向恢复电流上升时间 trm,ta 反向恢复电流下降时间 tl 恢复电荷 Q,,Qe8 0.25lR 上升时间电荷 QRRR 0.9 l心 下降时间电荷 QRwe RM 反向恢复)软性因子 FRRs 3.2.5其他 文字符号 备 名 称 注 初 整流效率 转折点温度 T'rnl rRM 结温升 " 温度系数 正向电流哀减率 di/dn 脉冲时间 重复频率 周期 T=f 反向重复峰值能量 ERR 反向不重复峰值能量 ERes 信号二极管(包括开关二极管)和调整二极管 4.1信号二极管(包括开关二极管 4.1.1信号二极管(包括开关二极管)下标的补充规定 4.1.1.1电压,电流和功率的下标 10
GB/T114992001 A,a 阳极 阴极 K,k 整流输出的平均m 4.1.1.2电参数的下标 ,d 阻尼 R,r 恢复、整流 贮存 4.12文字符号表 4.1.2.1电压 文字符号 称 注 反向直流电压 R V 反向平均电压 RAw) 峰值反向电压 VR 正向恢复电压 VFR v 正向直流电压 V 正向平均电压 'r(Av 反向瞬态总电压 正向瞬态总电压 UEp 反向浪涌电压 VRsM 正向恢复峰值电压 VRM 击穿电压 V'uR 瞬态击穿电压 UR》 4.1.2.2 电流 称 注 文字符号 正向平均电流 I(Aw 正向峰值电流 正向直流电流 正向瞬态电流 正向浪涌电流 sM 整流输出平均电流 反向直流电流 I in 反向瞬态电流 e 反向峰值电流 反向重复峰值电流 IRRM 反向不重复峰值电流(反向浪涌电流 Rsn 4.1.2.3功率 称 注 文字符号 浪涌功率 'sM 连续波射频耗散功率 Pw 仅适用于检波二极管 脉冲射频耗散功率 'Rpm Eees 反向瞬态重复峰值能量 反向重复峰值能量 Eae0 仅适用于可控雪崩二极管 反向瞬态不重复峰值能量 ERsM 反向不重复峰值能量 Ees 仅适用于可控雪崩二极管 反向重复峰值耗散功率 PeRo0 反向不重复峰值耗散功率 PesM 最大耗散功率 P ll
GB/T114992001 41.2.4其他 称 注 文字符号 恢复电荷 Q 反向恢复时间 正向恢复时间 反向恢复电流 微分电阻 总电流灵敏度 增量电流灵敏度 o.d 阻尼系数 阻尼电阻 rar 效率 电压检波效率 整流效率 功率检波效率 7 单脉冲能量 Epw 仅适用于检波二极管 重复脉冲能量 Epp 工作点微分电阻 品质因数 占空比 最高工作频率 脉冲宽度 4.2调整二极管 4.2.1电压基准二极管和电压调整二极管 4.2.1.1电压基准二极管和电压调整二极管下标的补充规定 421.1.1电压、电流和功率的下标 工作 Z， K.k 拐点 421.1.2电参数的下标 Z，Z 工作 K,k 拐点 421.2文字符号表 42121电压 名 称 文字符号 注 V 正向电压 工作电压 v 低于工作电压范围的反向直流电压 V 不发生误解时,可使用符号 在工作电压范围内的噪声电压 V 最大工作电压 V1 最小工作电压 VzMrN 4.2.1.2.2电流 名 称 文字符号 注 ！ 正向电流 拐点电流 I 电压低于工作电压范围的反向直流电流 在工作电压范围内的反向直流电流 在工作电压范围内的最大反向直流电流 浪涌电流 'M 12
GB/T114992001 4.2.1.2.3其他 称 文字符号 注 微分工作电阻 工作电压温度系数 保留符号sy avz 工作电压漂移 v 仅适用于电压基准二极管 工作阻抗 拐点阻抗 最大稳压电流阻抗 在工作电压范围内的电压变化量 sY P 总耗散功率 4.2.2电流调整二极管 4.2.2.1电流调整二极管下标的补充规定 42211 电压、电流和功率的下标 S,s 调整(工作 极限 拐点 K,k 4.2.2.1.2电参数的下标 S,s 调整(工作 K,k 拐点 4.2.2.2文字符号表 4.2.2.2.1电压 文字符号 称 注 正向电压 反向电压 V v 调整电压(工作电压 最大调整电压 VsM 极限电压 V 拐点电压 V 调整电流范围内的电压变化量 V 4.2.2.2.2电流 称 注 文字符号 反向电流 Ie 调整电流(工作电流 极限电流 4.2.2.2.3其他 文字符号 心 称 小信号调整电导 g 拐点电导 n 调整电流(工作电流)温度系数 ae 调整电流变化量 s 射频二极管 射频二极管通用直流参数的文字符号,参见第3章整流二极管 5.1隧道二极管 13
GB/T114992001 5.1.1隧道二极管的下标补充规定 5.1.1.1电压、电流和功率的下标 峰点 PP 峰点投影 谷点 5.1.12电参数的下标 串联 分布 电阻性的 5.1.2文字符号表 5.1.21电压和电流 称 文字符号 备 峰点电压 V 谷点电压 V V 峰点投影电压 反向直流)电压 VR 峰点电流 谷点电流 峰谷电流比 /I 等效电路参数 5.1.2.2 文字符号 备 名 称 串联电感 串联电阻 本征结电容 C 本征负电导 分布电容 5.1.2.3小讯号参数 称 文字符号 注 电阻性截止频率 ro0 电抗性截止频率(自谐振截止频率 f. 谷点电容 5.2变容二极管 5.2.1变容二极管的下标补充规定 5.2.1.1电参数的下标 截止 有效 eff 分布 P 串联 14
GB/T114992001 存储 特性 5.2.2文字符号表 5.2.2.1等效电路参数 名 称 文字符号 备 注 分布电容 1. 串联电感 串联电阻 低频结电阻 G 结电容 零偏压结电容 C 5.2.2.2其他 文字符号 变容 AC C" 品质因数 Q 有效品质因数 零偏压下的品质因数 给定偏压下的品质因数 截止频率 特征频率 存储电荷 Q 载流子寿命 效率 电容温度系数 电容变化指数 电容变化系数 5.3阶跃恢复(急变)二极管 5.3.1阶跃恢复急变)二极管的下标补充规定 5.3.1.1电参数的下标 截止 串联 转换 5.3.2文字符号表 文字符号 称 注 总电容 C'm C'=C十C 零偏压总电容 C0 结电容 C 串联电阻 串联电感 微分电阻 转换时间 示意图见图4 载流子寿命 截止频率 f P 耗散功率 15
GB/T114992001 ' -0.2(w+Vul) 0.8('+|'| s V 图阶跃(急变)二极管转换时间人的示意川 5.4体效应二极管 5.41体效应二极管的下标补充规定 5.41.1电压,电流和功率的下标 OP 工作 5.4.1.2电参数的下标 0 中心 P 脉冲 串联 S 5.42文字符号表 5.4.2.1电压、电流和功率 注 文字符号 称 工作电压 Vom" 阔值电压 Vro) 脉冲击穿电压 VeR 值电流 lTo 工作电流 lo 输出功率 F 脉冲输出功率 仅适用于体效应放大二极管 ” G 功率增益 仅适用于体效应放大二极管 P 耗散功率 54.2.2其他 文字符号 称 注 中心频率 f0 频率范围 f士f 带宽 B 串联电阻 效率 脉冲时间 仅适用于体效应放大二极管 占空比 仅适用于体效应放大二极管 f/f 频率不稳定度 仅适用于耿氏二极管 16
GB/T114992001 5.5PIN二极管 5.5.1PIN二极管的下标补充规定 5.5.11 电参数的下标 插人 1O 隔离 恢复 串联 5.5.2文字符号表 5.5.2.1电流和功率 称 注 文字符号 最大正向电流 Ie" P” 耗散功率 正向峰值功率 PM 反向峰值功率 P 5.5.2.2其他 文字符号 称 零偏压总电容 C'on)0 隔离度 1n" ！ 插人损耗 串联电阻 r 微分电阻 反向恢复时间 t 载流子寿命 5.6雪崩二极管 5.6.1雪崩二极管的下标补充规定 5.6.1.1电压、电流和功率的下标 OP 工作 5.6.1.2电参数的下标 中心 5.6.2文字符号表 5.6.2.1电压和功率 名 称 文字符号 注 工作电压 Vo 输出功率 Po 5.6.2.2其他 文字符号 称 注 中心频率 频率范围 f士A 频率不稳定度 0 效率 5.7混频和检波二极管 5.7.1混频和检波二极管的下标补充规定 5.7.1.1功率与能量的下标 17
GB/T114992001 连续波 CW 烧毁 M 脉冲 重复 rep RF 射频 57.1.2电参数的下你 射频 rf 变频 中频 if,I 插人 测量 m 基准,总 比 重复 reV 标准,串联 vf,V 视频 -工作 op 57.2文字符号表 57.2.1功率与能量 文字符号 称 注 连续波功率 'w 射频功率 P'Re 平均射频功率 'RF(Aw 脉冲射频功率 PRFp 烧毁能量 E 重复脉冲能量 Ey(r E 单脉冲能量 5.7.2.2检波灵敏度 称 注 文字符号 正切讯号灵敏度 在考虑中 暂用T's,Ss 总电流灵敏度 3 电流增量灵敏度 6 电压灵敏度 在考虑中 暂用Sv,月 5.7.2.3噪声特性 称 文字符号 注 总平均噪声系数 F(Ay 标准总平均噪声系数 Fe(Aw 测量总平均噪声系数 t onm(AVy 标准中频平均噪声系数 F(Aw 厂 测量中频平均噪声系数 imA 测量视频平均嗓声系数 F.Am 输出噪声比 18
GB/T114992001 5.7.2.4其他 称 文字符号 导纳 y 中频(终端)阻抗 射频阻抗 视频阻抗 串联电感 5" 也可用V.S.w,R 电压驻波比 变频损耗 变频插人损耗 . 波长 理想化因子 工作点微分电阻 r O 品质因数 光电子器件 6.1总则 6.1.1开关时间 文字符号 名 称 备 注 相对输入 100% 规定值上限 开通延迟时间 don 上升时间 规定值下限 开通时间 ta 相对输出 关断延迟时间 tado 100% 规定值上限 下降时间 关断时间 lolm 规定值下限 td(on) 6.2发光器件 6.2.1发光器件的下标补充规定 6.2.1.1电压、电流和功率的下标 OP 工作 6.2.1.2光电参数的下标 象散 A 截止 19
GB/T114992001 微分 E,e 辐射 外 ex 脉冲 p 串联 光通量 垂直 平行 6.2.2文字符号表 6.2.2.1电压、电流和功率 文字符号 称 注 正向电压 V 反向电压 V 击穿电压 'ky 正向电流 反向电流 最大工作电流 最大正向峰值电流 InM" 值电流密度 阔值电流 lTt 辐射功率 必," 光通量 " 最大耗散功率 输出光功率 平均辐射功率 P 脉冲辐射功率 " P 连续波辐射功率 相关寄生辐射功率 其中部分文字符号示意图见图5 中(pr) 相关寄生光通量 pm 办e 00% 50%6 中.(ur(2 pe(n(41 图5发光二极管和红外发射二极管的光谱特性 20
GB/T114992001 6.22？其他 称 注 文字符号 大信号辐射功率效率 a.列 仅适用于红外发射二极管 大信号辐射强度效率 仅适用于红外发射二极管 e1n 大信号光通量效率 仅适用于发射二极管 刃L.列 仅适用于发光二极管 大信号光强度效率 仅适用于红外发射二极管 辐射功率效率 .7 仅适用于红外发射二极管 辐射强度效率 仅适用于发光二极管 不 光通量效率 仅适用于发光二极管 光强度效率 微分辐射功率效率 仅适用于红外发射二极管 a 微分辐射 虽度效率 仅适用于红外发射二极管 7d 微分光通量效率 仅适用于发光二极管 刀d刃 微分光强度效率 仅适用于发光二极管 " 外量子效率 外 半强度角 an 角偏差 峰值发射波长 光谱带宽 入 谱线宽度 中心波长 d 象散 正向串联电阻 微分电阻 发光强度 ！ 辐射强度 给定平面内的发散角 垂直结平面发散角 日 平行结平面发散角 0 消光比 截止频率(小信号调制 仅适用于发光二极管 fa， 截止频率(大信号调制 仅适用于发光二极管 fa.fe RN 相对强度噪声 c/NN 噪声比 载流子 A 带宽方均根 立 光谱漂移(随电流温度 边模抑制比 SMS 输人反射系数 Sm 6.3光敏二极管(光电二极管) 6.3.1光敏二极管(光电二极管)的下标补充规定 6.3.1.1电压,电流和功率的下标 雪崩 21
GB/T114992001 op 工作 光(照射) P 6.3.2文字符号表 6.3.2.1电压、电流和功率 名 称 文字符号 注 反向电压 V 最高工作电压 V V 雪崩击穿电压 仅适用于雪崩光敏(电)二极管 光电流 暗电流 lRD 光照射下的反向电流(亮电流 IklRe 最大工作电流 P 总耗散功率 6.3.2.2其他 称 注 文字符号 光谱响应波长范围 - 峰值响应波长 A 半灵敏度角 角偏差 倍增因子 仅适用于雪崩光敏(电)二极管 噪声等效功率 NE！ 截止频率 串联电阻 结温 量子效率 噪声电流 s 光谱灵敏度 光敏晶体管 6.4 6.41光敏晶体管的下标补充规定 6.4.1.1电压、电流和功率的下标 饱和 sat 工作 op 6.4.1.2光电参数的下标 截止 6.4.2文字符号表 6.4.2.1电压,电流和功率 称 文字符号 注 集电极-发射极电压 'cEo 集电极-基极电压 Ve 发射极-基极电压 V e=0 发射极-集电极电压 =0,基极不存在任何外部连接 Vo 集电极-发射极击穿电压 VRcERo 发射极-基极击穿电压 VaRE 集电极-基极击穿电压 V'Rxwo 22
GB/T114992001 表(完 称 注 文字符号 I=0,基极不存在任何外部连接 发射极-集电极击穿电压 VctR)Bco 集电极-发射极饱和电压 VcEmm 集电极(直流)电流 Ie 照射条件下的集电极电流 lc,lce 集电极-发射极暗电流 e 最大工作电流 lom7 P 最大耗散功率 6.4.2.2其他 称 文字符号 噪声等效功率 NE 倍增因子 仅适用于雪崩光敏(电)品体管 光谱灵敏度 峰值响应波长 角偏差 半灵敏度角 截止频率 6.5光鹏合器 6.5.1光耦合器的下标补充规定 6.5.1.1电压、电流和功率的下标 1O 隔离 sat 饱和 维持 SuS 工作 W 6.5.1.2光电参数的下标 截止 电流传输比 ctr O 隔离 65.2文字符号表 6.5.2.1电压,电流和功率 称 文字符号 注 直流隔离电压 Vo 重复峰值隔离电压 'cRM L 浪涌隔离电压 "we ves" 基极开路,集电极-发射极电压 发射极开路,基极有外部连接时的集电极-基极电压 Vcw 集电极开路,基极有外部连接时的发射极-基极电压 Y" 基极无外部连接端时的发射极-集电极电压 'o 集电极-发射极维持电压 Vee) 集电极-发射极击穿电压 VRx 集电极-基极击穿电压 VRcHo 发射极-基极击穿电压 V'u嫩)Eo 输人二极管的正向电压 二极管的反向电压 23
GB/T114992001 表完 称 文字符号 注 集电极-发射极饱和电压 oE 集电极-基极电压 Vc 输人二极管的正向电流 输人二极管的反向电流 集电极直蔬电流 集电极-发射极暗电流 leEo 集电极-基极暗电流 n 输出晶体管耗散功率 " 总耗散功率 6.5.2.2其他 文字符号 称 名 注 正向)电流传输比的静态值 hpr),h加 小信号短路(正向)电流传输比 her),h f 截止频率 输人-输出电容 C' 隔离电阻 ro 闸流晶体管 7.1闸流晶体管下标的补充规定 A,a 阳极 偏置 基本的 BO 转折 换向 com D,d 断态 驱动 D 二极管 G 控制极(门极 维持 Hh 阴极 " 擎住 e 关断 R.(REc) 反向恢复 Rc 反向导通 (SP 峰值,尖峰 Sus 保持 T, 通态,触发 闸流晶体管 V 谷值 w 工作 Z，2 尾 7.2文字符号表 24
GB/T114992001 7.2.1主电压,阳极-阴极电压 称 文字符号 Vo 断态直流电压 断态峰值电压 V 断态工作峰值电压(最高断态工作电压 Vww0 断态重复峰值电压 VRM 断态不重复峰值电压 VsM 直流转折电压 V'wo 其中部分文字符号示意图见图6 通态直流电压 V" 最小通态电压 vnsr 通态阔值电压 ',m" 反向直流电压 V 反向工作峰值电压(最高反向工作电压) 仅适用于反向阻断闸流晶体管 Vw 反向重复峰值电压 VRRM 仅适用于反向阻断闸流品体管 反向不重复峰值电压 VResM 仅适用于反向阻断闸流晶体管 反向击穿电压 V) 仅适用于反向阻断闸流晶体管 通态平均电压 VT(AV 通态峰值电压 Vr 逆导通阂值电压 VRecr 仅适用于逆导通三极闸流品体管 Vp4 V'o4 'Rs0 rnu 'RwsN en Vs 图6闸流晶体管断态反向电压额定值文字符号示意图 7.2.2主电流、阳极电流、阴极电流 称 注 文字符号 断态直流电流 ID 断态峰值电流 InM 断态重复峰值电流 lR 断态不重复峰值电流 Is 通态直流电流 1 通态平均电流 lrAy 通态电流的有效值(通态方均根值 IrRMs) 通态峰值电流 iT 直流转折电流 Iw 25
GB/T114992001 表(完 称 注 文字符号 I 直流维持电流 通态过载电流 low 通态重复峰值电流 IR 通态不重复浪涌电流 其中部分文字符号示意图见图7 lM 反向阻断直流电流 反向重复峰值电流 lRR8 RM 反向不重复峰值电流 1RM 反向恢复电流 擎住电流 反向击穿直流电流 IR 反向峰值电流 IRM 逆导通直流电流 I 仅适用于逆导通三极闸流晶体管 逆导通平均电流 仅适用于逆导通三极闸流晶体管 IRcAV 逆导通峰值电流 IecM 仅适用于逆导通三极闸流晶体管 逆导通过载电流 仅适用于逆导通三极闸流晶体管 lRco 逆导通浪涌电流 仅适用于逆导通三极刚流晶体管 IR('sM lTsM lomn 7 图7闸流晶体管通态电流额定值文字符号示意图 7.2.3控制极(门极)电压 文字符号 称 备 控制极正向直流电压 VrG 控制极正向蜂值电压 VroM Vm 控制极反向直流电压 控制极反向峰值电压 V&c.M 控制极触发直流电压 VG 控制极最低触发电压 Vcnn 控制极不触发直流电压 V 控制极关断直流电压 Vo 26