GB/T29299-2012

半导体激光测距仪通用技术条件

Generalspecificationofsemiconductorlaserrangefinder

本文分享国家标准半导体激光测距仪通用技术条件的全文阅读和高清PDF的下载,半导体激光测距仪通用技术条件的编号:GB/T29299-2012。半导体激光测距仪通用技术条件共有12页,发布于2013-06-012012年第41号公告
  • 中国标准分类号(CCS)L51
  • 国际标准分类号(ICS)31.260
  • 实施日期2013-06-01
  • 文件格式PDF
  • 文本页数12页
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半导体激光测距仪通用技术条件


国家标准 GB/T29299一2012 半导体激光测距仪通用技术条件 Generallspecifeationofsemieomdectorlaserrmgefinder 2012-12-31发布 2013-06-01实施 国家质量监督检监检疫总局 发布 国家标准花管理委员会国家标准
GB/T29299一2012 目 次 前言 范围 规范性引用文件 术语和定义 要求 技术要求 4.1 4.2 性能要求 4.3环境适应性要求 可靠性要求 试验方法 5.1技术要求试验 性能要求试验 5.2 5.3环境适应性要求试验 可靠性要求试验 5.4 检验规则 -般规则 6.1 6.2鉴定检验 6.3型式检验 6.4出厂检验 6.5检验项目 6.6抽样方案及合格或不合格判断 包装,运输、标志 7.1包装 7.2运输 7.3标志
GB/T29299一2012 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任 本标准由机械工业联合会提出 本标准由全国光辐射安全和激光设备标准化技术委员会(SAC/TC284)归口 本标准负责起草单位:湖北华中光电科技有限公司 本标准参加起草单位;孝感华中精密仪器有限公司,湖北富华精密光电有限公司 本标谁主要起草人;刘博,朱晓旭、程刚,张红坤、周泽武
GB/T29299一2012 半导体激光测距仪通用技术条件 范围 本标准规定了半导体激光测距仪的要求,试验方法、检验规则,包装,运输和标志等内容 本标准适用于半导体激光测距类仪器 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 (GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分;按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T2829周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验》 GB/T4857.5包装运输包装件跌落试验方法 GB/T4857.10包装运输包装件基本试验第10部分;正弦变频振动试验方法 可靠性试验第1部分;试验条件和统计检验原理 GB/T5080.l1 GB7247.1激光产品的安全第1部分:设备分类、要求和用户指南 GB/T10320激光设备和设施的电气安全 GB/T12085.2 光学和光学仪器环境试验方法第2部分:低温、高温、湿热 GB/T12085.7光学和光学仪器环境试验方法第7部分;滴水、淋雨 GB/T12085.11光学和光学仪器环境试验方法第11部分;长霉 GB/T13384机电产品包装通用技术条件 GB/T13739激光光束宽度、发散角的测试方法以及横模的鉴别方法 GB/T15313激光术语 术语和定义 GB7247.1和GB/T15313界定的以及下列术语和定义适用于本文件 3.1 激光测距仪laserrangefinder 用激光作光源对目标测距的光电仪器 3.2 半导体激光测距仪semiconduetorlaserrangefinder 用半导体激光作光源的激光测距仪器 3.3 最大测程maximumrange 在规定大气条件下,对规定目标达到规定的测距准测率时,半导体激光测距仪所能探测到的最远 距离
GB/T29299一2012 4 3. 最小测程minimum range 在规定大气条件下,对规定目标达到规定的测距准测率时,半导体激光测距仪所能探测到的最近 距离 3.5 测距精度rangingaeeuraey 半导体激光测距仪测量的目标距离与标定的目标距离的误差 3.6 测距重复频率rangingrepetitionfrequene 半导体激光测距仪每秒钟完成的测距次数 3.7 准测率measuringaccuraey 激光测距仪达到规定测距精度的测距概率 要求 4.1技术要求 安全性 4.1.1 半导体激光测距仪的电气安全性应符合GB/T10320,激光安全性应符合GB7247.1的规定 4.1.2重量、外观 半导体激光测距仪的重量、外观应符合下列要求 重量、外形尺寸符合产品设计要求; a b) 外观涂,镀层应牢固,不应有褪色、剥落和锈斑 相同涂、,镀层颜色应均匀一致; 外观不应有划伤、裂口、缩瘪,尖利豁口、脱漆、扭曲等缺陷 c 4.1.3电源适应性要求 采用交流电源供电时,应满足220×(1士10%)V,频率50H2;采用电池供电时,应给出在额定电压 被动范围内的标准容量可以正常测距的次数或连续测距的工作时间, 4.1.4反接保护 电源的极性在半导体激光测距仪上应有明显标志 半导体激光测距仪应具有反接保护功能,出现 电源极性反接状态时,不应损坏 4.1.5功能显示 半导体激光测距仪显示内容应清晰明亮,且有如下显示功能 a准备显示; 距离显示 b e)超测程显示 d) 电源低电压显示 4.1.6内部清洁度 半导体激光测距仪内部清洁度应符合下列要求
GB/T29299一2012 a)光学系统不应有灰尘和沉积物; b)内腔严禁异物 多余物应清除干净 4.2性能要求 4.2.1最大测程 最大测程推荐按以下系列选用: 50m、100m、150m、200m、300m、500m、800m、1000m、1500m、2000m、3000m、5000m、 8000m、l0000m1、15000m、20000m、25000m、30000m,30000m以上 4.2.2最小测程 最小测程推荐按以下系列选用 0.2m、0.3m、0.5m、1m,2m、3m、5m、10m,20m、30m、50m、100m、150m、200m、300m、 500m、800m、l1000m、l000m以上 4.2.3测距精度 测距精度推荐按以下系列选用: 0.001m、0.002m,0.003m、0.005m、0.01m、0.02m,0.03m,0.05m、0.1m、0.2m、0.3m、 0.5m、1m、2m、3m、5m、10m,10m以上 4.2.4测距重复频率 测距重复频率推荐按以下系列选用 1Ha以下、1Hz一5Hz、5Hz~10Hz、10Hz20Hz、20Hz以上 4.2.5准测率 半导体激光测距仪的准测率应不小于95% 4.2.6激光束散角 半导体激光测距仪的激光束散角范围 0.01mard~lmatrd,lmard5mard,5mard以上 4.3环境适应性要求 4.3.1低温 低温工作和低温贮存的严酷度等级,按GB/T12085.2中规定的等级选择 半导体激光测距仪在低温环境试验过程中,其性能应符合4.1.5要求 半导体激光测距仪在低温环境试验后,恢复到GB/T12085.2规定的大气条件,其基本性能应符合 4.2.5要求,且不应出现下列缺陷 胶合件脱胶,光学件破裂 a b)内部光学件表面结霜; 活动机构失灵、卡死或折断; D 密封材料及表面处理层崩裂或起泡 达到温度平衡后内部出现水汽或水痕;
GB/T29299一2012 fD 非金属的永久变形 4.3.2高温 高温工作和高温贮存的严酷度等级,按GB/T12085.2中规定的等级选择 半导体激光测距仪在高温环境试验过程中,其性能应符合4.1.5要求 半导体激光测距仪在高温环境试验后,恢复到GB/T12085.2规定的大气条件,其基本性能应符合 4.2.5要求,且不应出现下列缺陷 润滑脂溢出,漆层脱落或起泡; a b胶合件脱胶 内部光学件表面有水汽或脂质流痕 显示功能失灵或部分失灵; dD 电器元件或照明失效 e 非金属的永久变形 4.3.3淋雨 半导体激光测距仪的淋雨严酷度等级应符合GB/T12085.7的规定 半导体激光测距仪经淋雨试验后,其性能应符合4.2.5要求,且不应出现下列缺陷 a)内部进水或有水溃; b)内部光学零件表面有水汽或水迹; c)不符合绝缘要求; D 金属件发生锈蚀 长霉 4.3.4 半导体激光测距仪的长霉试验等级应符合GB/T12085.l1的规定 半导体激光测距仪经长霉试验后,应符合GB/T12085.1l的规定 4.3.5振动 半导体激光测距仪的振动严酷度等级应符合GB/T4857.10的规定 半导体激光测距仪应具备在预期的运输和使用环境中承受机械振动的能力 产品经振动试验后其 性能应符合4.2.5要求 4.3.6跌落 半导体激光测距仪的跌落严酷度等级应符合GB/T4857.5的规定 半导体激光测距仪经跌落试验后,其性能应符合4.2.5要求,且不应出现下列情况 包装箱严重损坏 a) b产品损坏,产品外观严重损坏 可靠性要求 半导体激光测距仪的重复频率不小于5Hz的平均故障间隔应不小于200h;小于5Hz的平均故障 测距次数不低于50000次
GB/T29299一2012 试验方法 技术要求试验 5.1.1安全性 半导体激光测距仪的电气安全性试验设备、试验方法和试验条件应符合GB/T10320的规定;半导 体激光测距仪的激光安全性试验设备、试验方法和试验条件应符合GB7247.1的规定 5.1.2重量、外观 用量具检验产品重量,外形尺寸,用目测法检验外观 其结果应符合4.1.2规定 5.1.3电源适应性要求 用拉偏法测试,在电压上限值和下限值工作时,其性能应符合4.2.5要求 5.1.4反接保护 目测法检查半导体激光测距仪是否标示电源极性 将极性反接,打开电源开关,并保持反接60 s, 然后关闭电源开关,再正接电源,其性能应满足4.2.5要求 5.1.5功能显示 目测法检测半导体激光测距仪在工作过程中的显示功能,其要求应符合4.1.5要求 5.1.6内部清洁 目测法检测内部清洁度,其要求应符合4.1.6要求 5.2性能要求试验 5.2.1最大测程 按规定大气条件,在己标定的距离上设置规定目标 重频激光测距仪以规定的重复频率测距,重复 频率小于10Hz的测距20s,并且测距次数不小于50次,重复频率不小于10Hz的测距10s;单次测距 产品连续测距不小于50次 显示数值应符合4.2.1和4.2.5要求 5.2.2最小测程 按规定大气条件,在已标定的距离上设置规定目标 重频激光测距仪以规定的重复频率测距,重复 频率小于10Hz的测距20s,并且测距次数不小于50次,重复频率不小于10Hz的测距10s;单次测距 产品连续测距不小于50次 显示数值应符合4.2.1和4.2.5要求 5.2.3测距精度 半导体激光测距仪的测距精度有以下两种推荐的计算方法 a)绝对误差 在规定大气环境条件下,在半导体激光测距仪的测程范围内的任一距离上对规定目标进行测距,其 显示应符合公式(1) ld一d|A 式中 标定距离; 第i次显示距离 d A -规定的允许测量误差
GB/T29299一2012 且测距数据应满足4.2.1和4.2.5要求 b)均方差误差 在半导体激光测距仪的测程范围内进行测距,取得的数据应符合公式(2) d) A2n 式中: "次测距数据的均方差; An 第i次显示距离; dl -标定距离" 规定的允许测量误差 且测距数据应满足4.2.1和4.2.5要求 5.2.4测距重复频率 重频半导体激光测距仪以规定的重复频率测距,并用频率计测量重复频率 小于5H么的测距 5 20s,并且测距次数不小于50次,重复频率不小于5Hz的测距10s 测量结果应符合4.2.4、4.2. 要求 5.2.5 准测率 按5.2.3规定的条件和方法进行测距后计算,其准测率应符合公式(3). 户=" >95% 式中: -被检测距产品在本次检验中的准测率; 检测中符合准确度要求的测距次数; -半导体激光测距仪为检测中测距总次数,重频半导体激光测距仪为检测中测距显示值的总 次数 5.2.6激光束散角 半导体激光测距仪的激光束散角试验设备,试验方法和试验条件应符合GB/T13740的规定 5.3环境适应性要隶试验 5.3.1低温 半导体激光测距仪的低温试验设备、试验方法和试验条件应符合GB/T12085.2的规定 5.3.2高温 半导体激光测距仪的高温试验设备,试验方法和试验条件应符合GB/T12085.2的规定 5.3.3淋雨 半导体激光测距仪的淋雨试验设备、试验方法和试验条件应符合GB/T12085.7的规定 5.3.4长霉 半导体激光测距仪的长霉试验设备、试验方法和试验条件应符合GB/T12085.l1的规定
GB/T29299一2012 5.3.5振动 半导体激光测距仪的振动试验设备、试验方法和试验条件应符合GB/T4857.7的规定 5.3.6跌落 半导体激光测距仪的跌落试验设备,试验方法和试验条件应符合GB/T4857.5的规定 5.4 可靠性要求试验 半导体激光测距仪的可靠性试验方法、试验数据和报告的处理应符合GB/T5080.1的规定 检验规则 -般规则 半导体激光测距仪的检验分为鉴定检验,型式检验和出厂检验,半导体激光测距仪通过鉴定检验合 格后,才能批量生产 检验项目分组见6.5表1 6.2鉴定检验 产品在设计定型时或出现下列重大变化时需要做鉴定检验: a)正式生产后其结构设计、工艺或材料改变而引起产品的主要性能改变时 b产品停止生产2年以上,需要恢复生产时 鉴定检验项目按6.5表1中a组、b组,c组、d组项目进行检验 6.3型式检验 型式检验每2年不得少于1次,凡属下列情况下之一者,应按本标准规定的项目进行型式检验 a)对批量生产的产品进行定期检查时 b产品停止生产1年以上时; 出厂检验结果与上次型式检验结果有较大差异时; c 国家质量监督检验检疫机构提出进行型式检验要求时 dD 型式检验项目按6.5表1中a组、b组c组项目进行检验 6 出厂检验 凡出厂产品应经企业质量检验部门按出厂检验项目进行检验 合格后,签发产品合格证方可出厂 出厂产品检验项目按6.5表1中a组,b组进行
GB/T29299一2012 6.5检验项目 表1 序号 检验项目 技术要求 试验方法 分组 安全性 5.1." 重量、外观 4.1.2 5.1.2 电源适应性要求 4.1.3 5,1.3 反接保护 4.1.4 5.1.4 功能显示 4.1.5 5.1.5 内部清洁 4.1.6 5.1.6 最大测程 4.2.1 5,2.l 最小测程 5.2.2 4.2.2 测距精度 4.2.3 5.2.3 测距重复频率 4.2.4 5.2.4 1m 准测率 4.2.5 5.2.5 12 激光束散角 4.2.6 5.2.6 13 低温 4.3.1 5.3.l 高温 14 4.3.2" 5.3.2 15 淋雨 16 长霉 5,3,4 4.3.4 17 4.3.5 振动 5.3.5 18 跌落 4.3.6 5.3.6 19 可靠性 4.4 6.6抽样方案及合格或不合格判断 产品抽样方案与分组方法以及产品的合格与不合格判断应符合GB/T2828.1或GB/T2829的 规定 包装,运输、标志 7.1包装 半导体激光测距仪包装应符合GB/T13384要求 且包装箱内应附有下列随行文件 a)产品装箱单 b产品合格证 产品使用说明书
GB/T29299一2012 7.2运输 半导体激光测距仪在运输过程中应符合下列要求: 搬运,堆放应按运输箱运输标志进行,避免碰撞与敲击,堆放平稳整齐; a b装车堆箱高度不大于2m,汽车运输时,包装箱应在车内均布,避免偏置一侧 不应与易爆、易燃,易腐蚀物同车,同机或同舱混装运输 D 运输应充分保证防雨、防晒、防撞击的保护措施 7.3标志 半导体激光测距仪标志和运输标志应符合下列要求 标志应包含生产年份,编号、制造者,重量,外形尺寸; b)外观应有激光警告标记和安全等级说明标记,标记样式应符合GB7247.1的规定; 包装标志应符合GB/T13384的规定

半导体激光测距仪通用技术条件GB/T29299-2012解析

半导体激光测距仪是一种利用激光器发射脉冲信号并接收回波信号来实现距离测量的设备。为了规范半导体激光测距仪的生产和使用,中国国家标准化管理委员会于2012年6月发布了《半导体激光测距仪通用技术条件GB/T29299-2012》。

规范的主要内容

半导体激光测距仪通用技术条件GB/T29299-2012的主要内容包括:

  • 产品分类:根据测距精度等级和工作环境将半导体激光测距仪分为A类、B类、C类三种。
  • 技术要求:对半导体激光测距仪的光学系统、激光器、探测器、信号处理等方面做出了详细的技术要求。
  • 标志、包装、运输和贮存:规定了半导体激光测距仪应当标注的信息,以及包装、运输和贮存要求。
  • 试验方法:对半导体激光测距仪的各项技术指标进行测试的方法。

规范的意义

半导体激光测距仪通用技术条件GB/T29299-2012的发布,对于该领域具有重大意义:

  • 促进行业发展:规范半导体激光测距仪的生产和使用,提高产品的质量和性能,促进整个行业的稳定发展。
  • 提高技术水平:规范半导体激光测距仪的技术标准,鼓励企业加强研发和技术创新,提高技术水平。
  • 保障产品质量:严格按照规范要求生产和测试半导体激光测距仪,可以保障产品的质量和稳定性。
  • 提高用户满意度:规范半导体激光测距仪的产品标志和包装,可以提高用户使用体验和满意度。

总结

半导体激光测距仪通用技术条件GB/T29299-2012的发布,为半导体激光测距仪行业的发展注入了新的活力和动力。企业应当按照规范要求,生产出优质、高性能的半导体激光测距仪产品,以满足用户的需求和期望。

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