GB/T36360-2018

半导体光电子器件中功率发光二极管空白详细规范

Semiconductoroptoelectronicdevices—Blankdetailspecificationformiddlepowerlight-emittingdiodes

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  • 中国标准分类号(CCS)L53
  • 国际标准分类号(ICS)31.260
  • 实施日期2019-01-01
  • 文件格式PDF
  • 文本页数14页
  • 文件大小809.25KB

半导体光电子器件中功率发光二极管空白详细规范


国家标准 GB/T36360一2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 Semienduetoroptoeleetromiedeviees;一 Blankdetailspeeifieationformiddlepowerlight-emittingdiodes 2018-06-07发布 2019-01-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会国家标准
GB/36360一2018 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任 本标准由工业和信息化部(电子)归口 本标准起草单位:电子技术标准化研究院、电子科技集团公司第十三研究所、国家半导体 器件质量监督检验中心,厦门市三安光电科技有限公司 本标准主要起草人:刘秀娟、赵英、黄杰、彭浩、赵敏、张瑞霞、邵小娟
GB/36360一2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 引言 本空白详细规范是半导体光电子器件的一系列空白详细规范之一 相关文件 GB/T2423.1一2008电工电子产品环境试验第2部分;试验方法试验A;低温 GB/T2423.3一2016环境试验第2部分;试验方法试验Cab;恒定湿热试验 GB/T2423,4一2008电工电子产品环境试验第2部分;试验方法试验Db;交变湿热(12h+ 112h循环 GB/T2423.5一1995电工电子产品环境试验第2部分;试验方法试验Ea和导则;冲击 GB/T2423.10一2008电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验Fce:振动(正弦 GB/T2423.15一2008电工电子产品环境试验第2部分;试验方法试验Ga和导则稳态加 速度 GB/T2423.222012环境试验第2部分;试验方法试验N;温度变化 GB/T2423.232013环境试验第2部分;试验方法试验Q:密封 GB/T2423.28一2005电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验T:锡焊 GB/T2423.602008 电工电子产品环境试验第2部分;试验方法试验U:引出端及整体安 装件强度 GB/T2424.192005电工电子产品环境试验模拟贮存影响的环境试验导则 GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分;分立器件和集成电路总规范 GB/T12565一1990半导体器件光电子器件分规范 s/T11394一2009半导体发光二极管测试方法 IEC60191-2-DB2012半导体器件的机械标准化第2部分:尺寸规格Mechanieal standardizationofsemiconductordevices -Part2:Dinm mensionS IEC60749-21:2011 de- 半导体器件机械和气候试验方法第部分;可焊性(Semicomdetor vices一MechanicalandclimatictestsmethodsPart21;Solderability 要求资料 下列所要求的各项内容,应列人规定的相应空栏中 详细规范的识别 [1]授权发布详绸规范的国家标准化机构名称 [2]EcQ详细规范号 [[3]总规范和分规范的版本号和标准号 [4]详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的任何更详细的资料 器件的识别 [[5]主要功能和型号 [[6]典型结构材料,主要工艺)和封装的资料 如果一种器件有几种派生的产品,那些不同点应 被指出,例如在对照表中列出特性差异
GB/T36360一2018 如果一种器件对静电敏感,应在详细规范中增加警告,小心方面的文字 [[7]外形图、引出端识别、标志和(或)参考的相关外形标准 [8]根据总规范中2.G的质量评定类别. [9]参考数据 [注:在整个空白详细规范中,方括号内给出的内容仅供指导制定详细规范时用,而不包括在详细规范中 ] [授权发布详细规范的国家标准化 [IEcQ详细规范号、发布号和 1] 机构的名称] 或)发布日期 评定电子元器件质量的依据 [3 [4 GB/T4589.l一2006半导体器件第10部[详细规范的国家编号] 分;分立器件和集成电路总规范 [如果国家编号与IECcQ编号相同,则本栏可不填 GB/T12565一1990半导体器件光电子写] 器件分规范 详细规范用于;中功率半导体发光二极管,,红外发光二极管和紫外发光二极管可参照使用 [5 [C相关器件的型号 订货资料:见本规范第7章 「6 机械说明 [7] 简略说明 外形标准 中功率发光二极管 IEC60191-2-DB-2012[如果可行应强制] 定义:输人功率不小于70mwGaAIAs/In 国家标准[如果没有IEC外形标准 GaAIP)或100mwGaN),且小于700nmw (GaAIAs/InGaAIP)或1000mw(GaN)的LED 类型:直插式/表面贴装式 外形图 发光材料GaAIA、/InGaAIP/GaN基 [[可以放到第10章并给出更多的详细资料打 封装材料;树脂/金属/玻璃/陶瓷 引出端识别 [[画图说明管脚的功能,包括图形、符号 芯片;单芯片/多芯片 标志[文字、符号或图形 产品电气原理图 [若有的话,详细规范应规定器件上标志的内容] [C见总规范的2.5和(或)本规范第6章 [可以放到第10章] [可以增加某些重要的相关数据 电子信息产品制造厂在生产或制造电子信息产 品时,应当符合电子信息产品有毒、有害物质或元 素控制国家标准或行业标准,采用资源利用率高、 易回收处理、有利于环保的材料,技术和工艺 质量评定类别 [8 [按总规范的2.6I类或I类或类] 参考数据 [9 按本规范鉴定合格的器件的有关制造厂的资料,可在现行合格产品一览表中查到
GB/36360一2018 极限值(绝对最大额定值 除另有规定外,极限值要求见表1,这些数值适用于整个工作温度范围 [仅重复使用带标题的条号 任何增加的数值应在适当地方给出,但没有条号.] [曲线应在本规范第10章中给出 ] 表1极限值 要求 章条号 极限值 符号 单位 最小 最大 入 贮存温度 4.l T o 4." 工作温度 T 心 4.2.1 工作环境温度 管壳温度 T 4.2.2 T e 4.2.3 结温规定时 4.3 焊接温度 T 规定最长焊接时间 和/或距管壳的最小距离) mm V 4.4 反向电压 VR 4.5 管壳温度为25C下的直流正向电流 mA lm 或 4.6 环境温度为25下的直流正向电流 I 4.7 管壳温度为25C下的峰值正向电流,规 IM 定的脉冲条件下(适用时 环境温度为25C下的峰值正向电流,规 4.8 IpM 定的脉冲条件下(适用时 w 管壳温度为25C下的耗散功率 4.9 P V V 4.10 静电敏感电压适用时 n 注;×表示详细规范中应规定的具体值 光电及色度特性 光电及色度特性要求见表2,检验要求见本规范第8章 [仅重复使用带标题的章条号 任何增加的特性应在适当的地方给出,但没有章条号 ] [当在同一详细规范中规定系列型号器件时,相关数值应以连续方式给出,避免相同数值的重复 ] [特性曲线宜在本规范第10章中给出 ]
GB/T36360一2018 表2光电及色度特性要求 条件 要求 试验 章条号 特性 符号 除另有规定外 单位 分组 T=25 最小最大 V I按规定 5.1 正向电压 A2b、C2a I v按规定 反向电流 5,.2 A A2b,C2a In或I按规定,其他条件按 5.3 平均发光强度 d A3 父 规定 I印 W/sr !按规定 × 半强度角 A3、C2a 5.4 0" 5.5 ,按规定 光通量 中 lm A3 中 或辐射功率 I按规定 mw A3 A !按规定 5.6 峰值发射波长 nm 成 A 主波长(适用于单色光) !按规定 nm 2a 5.8 光谱辐射带宽(适用于单色光 按规定 nm A 按规定 5,9 显色指数(适用于白光 5.10 相关色温(适用于白光 按规定 色品坐标 5.1n r, I 按规定 5.12 色容差适用于照明用 sDCM 按规定 I 5.13 lm/w 4% 发光效能(适用于白光》 按规定 A2b 或辐射效率 按规定 R 5.14 K/w C2a 热阻(规定时 !按规定 散热条件按规定 注:×表示详细规范中应规定的具体值 6 标志 5 [任何详细资料除第1章[7]栏中和或)总规范的2.5给出的之外)应在此给出 ] 订货资料 除另有规定外,订购一种具体器件至少需要以下内容 准确的型号(如果要求,标称的电压值); 有版本号或日期的IEcQ详细规范号 按分规范的3.7规定的质量评定类别及如果要求时按分规范的3.6中规定的筛选顺序; 任何其他细节 8 试验条件和检验要求 表3中给出筛选仅适用于皿类)的试验条件和检验要求,表4,表5和表6分别给出了A组检验、,B 组检验和C组检验的试验条件和检验要求[其所有数值和确切的试验条件应按照给定型号的要求和相 关标准中规定的有关试验予以规定 ]
GB/36360一2018 [当在同一详细规范中包含若干规格的器件时,有关的试验条件和/或数值应以连续的方式给出,避 免相同的条件和/或数值重复出现 [当制定详细规范时,如果检验或检验方法有两种以上的选择应确定一种 除另有规定外,下列文本中引用的条号对应于总规范的条号 [关于抽样要求,应依据适用的质量评定类别引用或参照分规范3.7的规定 对于A组检验,制定 详细规范时应选定AQL或LTPD抽样方案 ] 表3筛选(仅适用于皿类 项 目 件 温度循环 T、Tmm,5个循环 老炼 Irm,>24h 表4A组(逐批 条件 检验或试验 除另有规定外 要求/极限值 引用标准 -25 检验或试验 符号 Tw s/T113942009 见GB/T4589.1l一2006 最小 最大 第4章 A1分组 GB/T4589.! 外部目检 -2006的4.3.1. A2a分组 不能工作器件 极性颠倒 极性 平均发光强度 Ip或方法2001 I按规定,其他条件按规定 Iw<0.1ISL. <0.lLSL lE I 或光通量 方法2003 I按规定 中,0.llSL 中,<0.1LsL 或牺射功率 方法2004 1按规定 正向电压 方法1001 I按规定 短路;Vps0.1USL 开路,V>5UsL 方法1003 反向电流 I VR按规定 IR>50USL 相关色温(适用于白光 cCCT 方法4004 CC'T>1.5UsL Ip 按规定 或0.5LSL A2b分组 电特性 V I按规定 USL 正向电压 方法1o01 I V我按规定 反向电流 方法1003 USL 发光效能(适用于白光 I按规定 l.SL 方法2003 7 I.sL 或辐射效率 方法 2004 7 I按规定
GB/T36360一2018 表4(续 条件 检验或试验 除另有规定外, 要求/极限值 引用标准 检验或试验 符号 Tmh=25C s/T113942009 见GB/T4589,12006 最小 最大 第4章) A3 分组 光特性 I按规定,其他条件按规定 LSL Ir或方法20o1 平均发光强度 IEE 半强度角 I按规定 1.SI USL 方法2002 方法2003 1,按规定 I.sl ? 光通量 事 或辐射功率 方法2004 I按规定 ISl LsL Us 峰值发射波长 方法2005 A, I按规定 A4分组 色度特性 主波长(适用于单色光) 1,按规定 L.sL UsL 方法4003 相关色温适用于白光 CCT 方法4004 I按规定 ISl USL USsL 色品坐标 方法 或4002 按规定 L.s1l 4001 I下 r,y R 显色指数适用于白光 方法4006 I按规定 LSL USL 色容差(适用于照明用 sDNM方法4005 1,按规定 A分组 电特性 反向电流 方法1003 最高工作温度,VR按规定 50USL 注1:所有试验是非破坏性的,见GB/T4589.1一2006的3.6.6 注2LsL为规范下限值,UsL.为规范上限值 表5B组逐批 检验或试验 条件 要求/极限值 除另有规定外, 引用标准 检验或试验 符号 s/Tl1394一2009 Tmh=25 最小 最大 见GB/T4589,12006第4章 B1分组 尺寸 GB/T4589.12006的 见本规范第1章 4.3,2、附录B B3分组 (D 引线弯曲(适用时 GB/T2423.60一2008,按规定 无损伤 试验Ub
GB/36360一2018 表5(续》 检验或试验 条件 要求/极限值 引用标准 除另有规定外 符号 检验或试验 S/Tl1394一2009 Tm=25 最小 最大 见GB/T4589.1一2006第4章》 (D) B4分组 可焊性 GBT2423.282005,按规定 润湿良好 Ta表贴器件按 EC60749-21:2011 B5分组 D) GB/T2423.22一2012按规定 温度快速变化 继之以. (D) GB/T2423.42008 按规定 循环湿热 仅对非空腔器件) 或 按规定 密封仅对空腔器件) GB/T2423.23一2013 终点测试 1.SL I按规定,其他条件按规定 平均发光强度 lnw或方法20o1 II 或光通量 方法2003 I 按规定 p ISL Ls 或辐射功率 方法2004 1,按规定 方法1001 1,按规定 USL 正向电压 ! USL 反向电流 方法1003 v按规定 ISL USL 相关色温(适用于白光ccT方法4004 1按规定 方法4003 I按规定 或主波长适用于单色光 LSL USL 分组 恒定加速度 GB/T2423,15一2008按规定 仅对空腔器件) 终点测试 按5分组 B7分组 GB/T2423.32o016 稳态湿热(仅对非空腔 68h(0失效)或500h(1失效) 器件) 其他按规定 终点测试 按B5分组 B8分组 1按本规范4.6规定,1l68 电耐久性 本规范附录A 终点测试 I按规定 Ls 平均发光强度 1Iw或方法20o1 或光通量 方法2003 I按规定 0.9IVD 或辐射功率 方法2004 I按规定 0.9IVD 1.2UsL 正向电压 方法1001 I按规定 0,.9LSL 2UsL 反向电流 方法1003 v按规定 LSL 1.1USL 相关色温(适用于白光CcT方法4004 按规定 ! 或主波长(适用于单色光 方法4003 US 按规定
GB/T36360一2018 表5(续 检验或试验 条件 要求/极限值 引用标准 除另有规定外 符号 检验或试验 /Tl13942009 Tmlh=25C 最小 最大 见GB/T4589.1一2006第4章) B9分组 GB/T 高温贮存 2424.19一2005168h(0失效)或500h1失效 终点测试 其他按规定 按5分组 提供B3,B和5分组的属性资料 提供B分组前后的测试数据 CRRL分组 注1:只有标明(D)的试验是破坏性试验,见GB/T4589.12006的3.6.6 注2对于等级要求为I类的器件(见GB/T4589.1一2006的2.0 .6) 注3:ISL为规范下限值,USL为规范上限值,IV为初始值 表6C组(周期 检验或试验 条件 要求/极限值 引用标准 除另有规定外 检验或试验 符号 s/T113942009 T=25 见GB/T4589.12006第4章 最小 最大 C1分组 尺寸 GB/T4589.12006的 见本规范第1章) 4.3,2、附录B C2a分组 正向电压 V 方法1001 I按规定 USL UsL. 反向电流 方法1003 v《按规定 光谱辐射带宽(适用于 A入 方法2005 I按规定 LSL USL 单色光 半强度角 03 方法2002 I按规定 USL 热阻(规定时 R 方法5003 I按规定,散热条件按规定 USL C3分组 GBT2423.602008, 引出端强度 D 拉力(适用时 试验Ual 按规定 无损伤 C4分组 耐焊接热 (D GB/T2423.28一2005,按规定 试验TDb 终点测试 按规定 按B5分组
GB/36360一2018 表6(续》 检验或试验 条件 要求/极限值 引用标准 除另有规定外 符号 检验或试验 s/T113942009 =25 T !anb 见GB/T4589,1一2006第4章 最小 最大 C6分组 振动 GB/T2423.10一2008按规定 或冲击 或GB/T2423.5 按规定 1995 继之以: GB/T2423.15-2008按规定 恒定加速度 仅对空腔器件 终点测试 按分组 C7分组 GB/T2423.32o16 稳态湿热 1000hI类器件不要求 D 仅对非空腔器件 其他按规定 终点测试 按B8分组 按规定 C8分组 1,按本规范4.6的规定 电耐久性 本规范附录A 至少1000h 终点测试 I按规定,其他条件按规定 0.5IVD 平均发光强度 w或方法2001 lLEBn I类、[类 0,9IVD 类 或光通量 方法2003 I按规定 0.9IVD 0.9IV 或辐射功率 方法2004 I按规定 正向电压 方法1001 I按规定 1.2USL 2USI 反向电流 1 方法1003 V按规定 相关色温(适用于白光)ccT 方法4004 I按规定 0.9LSL 1.lUSL. LSL USL 或主波长(适用于单色光 方法4003 1按规定 C9分组 高温贮存 一T GB/T2424.192005至少1000h,T一 tE,max 终点测试 按B8分组 C10分组 GB/T2423,12008,至少168h,T=T 低温贮存(要求时 ;阳" 试验方法Ab 终点测试 按B8分组
GB/T36360一2018 表6(续 检验或试验 条件 要求/极限值 引用标准 除另有规定外 检验或试验 符号 s/T113942009 =25 Tmb 见GB/T4589.1一2006第4章 最小 最大 c11分组 静电放电敏感度(SDS) 要求时 人体模式(HBM)和/或 方法6001及本规范按规定 附录B 机器模式(MM) 及本规范按规定 方法6002 附录B C12分组 光辐射安全等级(要求时 按规定 CRRL分组 提供C3,c和c8分组的属性资料 提供c7,C8和c9分组前后的测试数据 注1:只有标明(D)的试验是破坏性试验,见GB/T4589.l一2006的3.6.6 注2,L.sL为规范下限值,UsLl.为规范上限值,D为初始值. 9 D组 鉴定批准试验 [C当要求时,这些试验应在详细规范中规定 10附加资料(不作为检验用 [只有规范和器件应用需要时给出,例如: 与极限值有关的温度降额曲线; 继之以 平均发光强度与温度的典型关系曲线或变化系数和平均发光强度与正向电流的典型关系曲线 直流或脉冲条件按规定) 峰值发射波长随温度变化的典型特性曲线或变化系数 典型辐射图 发射光谱 测量电路或补充方法的完整说明 详细的外形图 10
GB/36360一2018 附 录 A 规范性附录 电耐久性试验 试验电路 A.1 试验电路见图A.1 说明: R -限流电阻 被测二极管 图A.1试验电路图 A.2工作条件 I按本规范4.6的规定;T 按规定,必要时可加散热片
GB/T36360一2018 附 录 B 规范性附录) 人体模式和机器模式的静电放电敏感度分级及标志 人体静电放电敏感度分级及标志见表B.1 表B.1人体模式静电放电敏感度分级及标志 电压 标志 级别 0级 0~249 H0 HA 250~499 】级 500999 HA B 1000~1999 Hc 2级 2000一3999 HA 4000~7999 HAAA 3级 800015999 HB 非静电敏感器件 >15999 注;为空心或实心等边三角形 机器静电放电敏感度分级及标志见表B.2 表B.2机器模式静电放电敏感度分级及标志 电压 级别 标志 0级 o 49 】级 M 50 99 100 199 2级 M 3级 200399 MAAA 注:为空心或实心等边三角形

半导体光电子器件中功率发光二极管空白详细规范GB/T36360-2018解读

前言

在现代电子技术领域中,半导体光电子器件已经成为一项非常重要的技术。而其中,功率发光二极管是半导体光电子器件的一种非常关键的组成部分。为了规范功率发光二极管的生产和应用,在2018年发布了《半导体光电子器件中功率发光二极管空白详细规范GB/T36360-2018》这个规范文件。

规范概述

GB/T36360-2018规范文件主要涵盖了功率发光二极管相关的定义、分类、尺寸、标志、要求等方面的内容。下面,将分别对规范文件中的主要内容进行解读。

定义

首先,规范文件中明确了功率发光二极管的定义:功率发光二极管(Power Light-Emitting Diode,简称PLED)是指工作在直流或脉冲状态下,具有发光功率密度较大的半导体器件,能够将电能转换成光能,并产生可见光、红外光和紫外光。

分类

根据规范文件,功率发光二极管可以分为以下几类:

  • 根据波长分为:红外PLED、可见光PLED、紫外PLED等
  • 根据封装形式分为:表面贴装型PLED、插件型PLED、COB型PLED等
  • 根据用途分为:照明用PLED、显示用PLED、反向激励型PLED等

尺寸

规范文件中还规定了不同类型PLED的尺寸范围,以及如何测量PLED的尺寸。这对于生产商来说非常重要,可以保证产品符合规定的标准,提高产品质量。

标志

规范文件中还规定了PLED的标志要求,包括标志内容、标志位置、标志形式等。标志的作用在于方便用户辨认PLED的类型和性能。

要求

最后,规范文件中详细规定了不同类型PLED应该具备的性能指标和测试方法。这对于生产商来说也非常重要,可以保证产品符合需求,减少因为产品性能不足而导致的质量问题。

总结

通过本篇文章的介绍,我们了解到《半导体光电子器件中功率发光二极管空白详细规范GB/T36360-2018》是一份针对功率发光二极管的生产和应用的规范文件,覆盖了PLED的定义、分类、尺寸、标志和性能要求等方面。遵循该规范可以提高PLED产品的质量,并且方便用户辨认和选择不同类型的PLED。

在未来的发展中,随着半导体光电子器件技术的不断发展,PLED的应用前景也会越来越广泛。因此,我们应该更加重视PLED生产和应用中的规范化问题,为行业的稳健发展做出贡献。

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LED加速寿命试验方法
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