低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

国家标准 GB/T34481一2017 低位错密度储单晶片腐蚀坑密度 EPD)的测量方法 TestmethodformeasuringetehpitdensityEPD)inlowdisloeatondensity moncrystalinegermaniumslices 2017-10-14发布 2018-07-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管理委员会国家标准
GB/34481一2017 低位错密度错单晶片腐蚀坑密度 EPD)的测量方法 范围 本标准规定了低位错密度错单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 本标准适用于测试位错密度小于1000个/em、直径为75mm一150mm的圆形错单晶片的位错 腐蚀坑密度 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T5252错单晶位错腐蚀坑密度测量方法 方法提要 错单晶片经化学腐蚀法显示位错腐蚀坑后,用显微镜可观察视场面积内的腐蚀坑数目 位错腐蚀 坑密度等于穿过视场面积的腐蚀坑数目除以视场面积 错单晶片主要有0"、(100)偏(111)6"和(100)偏 11)9"三种,其位错图像分别如图1图2,图3所示 图10”200× 图2100)偏(111)6”200x 图3100)偏(111)9200x
GB/T34481一2017 仪器 金相显微镜,选取目镜10×,物镜20×,测量视场面积为1mm" 注:为精确测量腐蚀坑密度,用标准量具精确测量视场面积 测量步骤 5 5.1试样制备 本标准中错单晶位错密度测试片的制备方法按GB/T5252的规定进行 5.2选择测量点 5.2.1以直径100nmm错单晶测试片为例,测量点如图4所示 对直径100mm错单晶测试片,方格边 长为13mm,总测量点37个,测量点19在晶片中心 75mm、150nmm错单晶测试片的方格边长分别 为10mm,21.8mm 5.2.2各测量点应位于每个方格的中心 10 11 12 13 14 15 17 19 20 21 22 16 18 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 34 33 35 37 36 图4100mm绪单晶片测量点示意图 5.3记录腐蚀坑数目 对区域1测量点视场面积内的腐蚀坑(其中心应在测量视场内)进行计数 如果腐蚀坑之间间隔太 近而难以计数,可提高放大倍数 计数完毕后,记录腐蚀坑数目和显微镜的放大倍数 对所有其他测量 点重复上述操作,即对晶片从第2个区域计数到第37个区域 测试结果的计算 每个测量点视场内的腐蚀坑密度按式(1)计算 n 1d
GB/34481一2017 式中: -单个测量点的腐蚀坑密度,单位为个每平方厘米(个/em='); na 穿过视场面积、的腐蚀坑数目,单位为个; n -视场面积(确定测量点,放大200倍),单位为平方厘米(cm) 平均位错腐蚀坑密度N按式(2)计算 N= 壶 父 式中: 平均位错腐蚀坑密度,单位为个每平方厘米(个/em) N 精密度 N,N为不同检测实验室对相同错单晶测试片37个区域选取的37个测量点所检测的平均位错 密度,检测结果的允许误差应在20%以内,具体见表1 表1 范围 允许误差 错单晶测试片上37个测量点的EPD平均值 -20%s(N1一Na/Ng二20% 8 试验报告 试验报告应包括以下内容 试样编号 a b 本标准编号; 测试结果(包括各个测量点的腐蚀坑密度和平均腐蚀坑密度); c 试验者和试验日期等 d

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度测量方法

低位错密度锗单晶片广泛应用于半导体器件领域，对其缺陷的检测和评估显得尤为重要。其中，腐蚀坑密度是一个非常关键的指标之一，它可以反映出锗单晶片表面存在的缺陷情况，并给出相应的缺陷密度值。因此，准确地测量低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度是十分必要的。

测量方法

GB/T34481-2017《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度测量方法》规定了该项指标的测量方法。具体步骤如下：

1. 将待测样品放在试剂中进行化学腐蚀处理；
2. 用光学显微镜观察试样表面，统计缺陷数量；
3. 根据缺陷形态和密度值计算腐蚀坑密度。

该方法具有可重复性高、测量结果准确等特点，被广泛应用于锗单晶片的缺陷检测和质量评估中。

总结

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度是衡量锗单晶片质量的重要指标之一。GB/T34481-2017规定了对其进行测量的方法，可以有效地检测和评估锗单晶片表面的缺陷情况。未来，随着半导体器件制造工艺的不断进步，低位错密度锗单晶片将有更广泛的应用前景。

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