太阳能电池用多晶硅片

太阳能电池用多晶硅片

国家标准 GB/T29055一2019 代替GB/T290552012 太阳能电池用多晶硅片 Multierystallinesilieonwafersforphotooltaicsolareel 2019-06-04发布 2020-05-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会国家标准
GB/T29055一2019 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 本标准代替GB/T29055一2012《太阳电池用多晶硅片》 本标准与G;B/T29055一2012相比,除编 辑性修改外主要技术变化如下: 修改了适用范围,将“适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片”改为 “适用于太阳能电池用铸造多晶硅片(包括类单晶硅片)”(见第1章,2012年版的第1章) -删除了规范性引用文件GB/T1551和SEMIMF1535,增加了GB/T30860,GB/T30869、 SJ/Tl1627、S/T1l628,S/T11630S/T1l631、SJ/T11632和YS/T28见第2章,2012 年版的第2章. 删除了密集线痕的定义,增加了线痕和微裂纹的定义(见3.1和3.,2,2012年版的3.1). mm×125mm和156mm×156mm改为156.75mm×156.75mm 修改了边长分类由125 建议边长的增减量为1mm的整数倍(见表1,2012年版的表1). 将外形尺寸分类与要求合井,并修改了边长.厚度及允许偏差的要求(见4.1.2012年版的 第4章、第5章》 修改了总厚度变化,弯曲度的要求(见A.l,012年版的5.2 修改了载流子寿命、间隙氧含量、代位碳含量的要求(见4.2.3、4.3,2012年版的5.3.3、5.3.4、 5.3.5) 增加了表面质量中缺口、微裂纹的要求(见4.4.1) 修改了表面质量中崩边缺陷的要求(见4.4.2,2012年版的5.,1.2) 删除了表面质量中的色斑,边缘缺陷、晶粒数量及尺寸规格中密集型线痕的要求(见2012年版 的5.1.1,5.1.3、5.1.4,5.2) 增加了类单晶硅片的要求(见第4章) 修改了组批、检验项目、取样及检验结果的判定(见6.2、6.3、6.4,2012年版的7.2、7.3、7.4) 修改了包装的要求(见7.2.1,2012年版的8.1.1) 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAcC/Tc203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/Tc203/sC2)共同提出并归口 本标准起草单位;江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、江西赛维 LDK太阳能高科技有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院、扬州荣德新能源科 技有限公司,苏州协鑫光伏科技有限公司,英利能源()有限公司 本标准主要起草人;万跃鹏、唐骏、游达、林清香、苏磊、李素青、余刚高长昆、常传波、李建敏、何亮、 梁学勤、齐灵燕、孙培亚、李英叶 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: GB/T290552012
GB/T29055一2019 太阳能电池用多晶硅片 范围 本标准规定了太阳能电池用多晶硅片(以下简称硅片)的要求,试验方法、检验规则、标志、包装、运 输、贮存、质量证明书及订货单(或合同内容 本标准适用于太阳能电池用铸造多晶硅片(包括类单晶硅片) 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分;按接收质量限AQL)检索的逐批检验抽样 计划 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6619硅片弯曲度测试方法 GB/T14264半导体材料术语 太阳能级铸造多晶硅块 GB/T29054 GB 30860太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 30869太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法 GB 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法 ll627 太阳能电池用硅片尺寸及电学表征在线测试方法 11628 太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法 ll630 S 太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法 11631 s/11632太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法 Ys/T28硅片包装 术语和定义 GB/T14264和GB/T29054界定的以及下列术语和定义适用于本文件 3.1 线痕sawmarks 晶块切割时,在晶品片表面留下的条状凸纹和凹纹形状的不规则痕迹 3.2 微裂纹meroerack 宽度在微米量级,无法通过肉眼直接识别的裂纹
GB/T29055一2019 要求 4.1外形尺寸 硅片的外形尺寸及允许偏差应符合表1的规定 表1 项目 要求 允许偏差 156.75×156.75 士0.25 边长"'/mm 倒角/mm 1.5 士0.5 160 十20 170 10 厚度h/Am 180 190 士20 200 30 总厚度变化/m <5o 弯曲度/Hm 相邻两边的垂直度/(e) 90 士0.25 边长的增减量建议为1mm的整数倍 厚度的增减量建议为10m的整数倍 4.2电学性能 4.2.1硅片的导电类型为P型 4.2.2硅片的电阻率为0.5Qcm3.0Qem 4.2.3硅片的载流子寿命应符合GB/T29054的规定,质量由供方保证 4.3间隙氧和代位碳含量 硅片的间隙氧含量和代位碳含量应符合GB/T29054的规定,质量由供方保证 4.4表面质量 4.4.1硅片表面应洁净,无缺口、沾污、目视裂纹、微裂纹、孔洞等缺陷 4.4.2硅片表面不应有“V”型缺口的崩边缺陷,允许有深度小于0.3mm、长度小于0.5mm的崩边缺 陷,且整片不超过2处 4.4.3硅片表面的单条线痕深度值应不大于15m 4.5类单晶硅片的最大晶粒面积比例 类单晶硅片的最大晶粒面积比例应符合表2的规定
GB/T29055一2019 表2 要求 项目 I类" 类 最大晶粒面积比例 100%！" <100% 类类单晶硅片相对于直拉单晶硅片和区熔单晶硅片,可能有更大的位错密度和晶向偏差 I类类单品硅片最大晶粒面积比例一般要求为100%,如供需双方协商一致,可允许最大晶粒面积比例 为97% 4.6其他 需方如对硅片的技术指标有特殊要求时,可由供需双方协商确定并在合同中注明 试验方法 5.1边长和倒角的检验按s/T11628或s/T11630的规定进行 仲裁方法按S/T1l630的规定 进行 5.2厚度和总厚度变化的检验按GB/T6618,GB/T30869或s/T11628的规定进行 仲裁方法按 GB/T6618的规定进行 5.3弯曲度的检验按GB/T6619的规定进行,或由供需双方协商确定 5.4相邻两边垂直度的检验按sJ/T11628或J/T11630的规定进行 仲裁方法按S]/T11630的规 定进行 5.5导电类型的检验按GB/T1550的规定进行 5.6电阻率的检验按GB/T6616,S/T11627或s/T11628的规定进行 仲裁方法按GB/T6616的 规定进行 5.7表面质量(除微裂纹、线痕)的检验按SJ/Tl1631的规定进行,或由供需双方协商确定 表面微裂纹的检验按sIT1832的规定逃行 5.8 5.9表面线痕的检验按GB/T30860的规定进行 5.10类单晶硅片的最大晶粒面积比例的检查在光强度为430lx一650lx的照明条件下,距硅片30em~ 50enm的位置垂直于硅片表面目视进行 检验规则 6.1检验和验收 6.1.1产品应由供方进行检验,保证产品质量符合本标准及订货单(或合同)的规定,并填写质量证 明书 需方应对收到的产品按本标准的规定进行检验如检验结果与本标准及订货单(或合同)的规定 6.1.2 不符时,应以书面形式向供方提出,由供需双方协商解决 属于外形尺寸或表面质量的异议,应在收到 产品之日起一个月内提出;属于其他性能的异议,应在收到产品之日起三个月内提出 如需仲裁,应由 供需双方协商确定 6.2组批 硅片应成批提交验收 每批应由相同工艺生产的同一外形尺寸、导电类型和电阻率范围的硅片
GB/T29055一2019 组成 6.3检验项目 每批硅片的检验项目见表3 表3 序号 检验项目 检验水平 接收质量限(AQL 边长 倒角 厚度 总厚度变化 S-2 2.5 弯曲度 相邻两边的垂直度 导电类型 电阻率 表面质量 0,.65 1o 类单晶硅片的最大晶粒面积比例 6.4取样及检验结果的判定 各检验项目的取样按GB/2828.1一2012中的正常检验一次抽样方案,检验水平和接收质量限 AQL)应符合表3的规定 如按其他方案进行取样,应由供需双方协商确定 标志、包装、运输、贮存和质量证明书 7.1标志 7.1.1在检验合格的硅片包装盒上张贴标签,其上注明: 产品名称; a bb 产品技术要求; 产品批号; 产品数量 d) 7.1.2硅片应成箱包装,每箱外侧应注明: 供方名称、商标; a 产品名称; b 产品技术要求 e d) 产品数量; e “小心轻放”“防潮”“易碎”“堆叠层数”标志或字样 7.2包装、运输和贮存 7.2.1硅片包装按Ys/T28的规定进行,也可由供需双方协商确定 7.2.2硅片在运输过程中应轻装轻卸,严禁抛掷,勿挤压,且应采取防震、防潮措施
GB/T29055一2019 7.2.3硅片应贮存在清洁、干燥的环境中 7.3质量证明书 每批硅片应附有质量证明书,其上注明 供方名称 a b 产品名称; c 产品数量; d 产品批号 e 各项检验结果及检验部门印记; fD 本标准编号; 出厂日期 g 订货单(或合同内容 本标准所列产品的订货单(或合同)内应包括下列内容 a 产品名称; b产品技术要求; ce 产品数量; d)本标准编号; 标准中要求在合同中注明的内容 ee 其他 fD

太阳能电池用多晶硅片GB/T29055-2019

太阳能电池是将光能转换为电能的装置，实现了可再生能源的利用。而太阳能电池中最为核心的是半导体材料，其中多晶硅片是目前最为常见的太阳能电池材料之一。

多晶硅片是由多晶硅块制成，具有较高的光电转换效率和较低的制造成本，因此被广泛应用于太阳能电池领域。然而，在生产过程中，多晶硅片的质量控制非常重要，不仅影响着太阳能电池的性能，也直接关系到电池的寿命和可靠性。

为了规范多晶硅片的生产和应用，国家制定了太阳能电池用多晶硅片的标准GB/T29055-2019。该标准从材料、外观、尺寸、性能等方面对多晶硅片进行了详细的规定，旨在提高多晶硅片的质量和稳定性，进一步推广太阳能电池的应用。

多晶硅片的材料要求

GB/T29055-2019中规定，太阳能电池用多晶硅片的材料应当符合以下要求：

• 多晶硅块应当采用单晶或多晶硅制备，且应当经过纯化处理；
• 多晶硅块应当具有良好的结晶性和均匀性，无裂纹、气泡等缺陷；
• 多晶硅块的电阻率应当符合规定范围。

多晶硅片的外观和尺寸要求

除了材料要求外，GB/T29055-2019还对多晶硅片的外观和尺寸进行了规定：

• 多晶硅片应当光滑平整，表面应当无划痕、裂纹等缺陷；
• 多晶硅片的厚度应当符合规定范围，并且具有一定的均匀性；
• 多晶硅片的长度和宽度应当符合规定范围。

多晶硅片的性能要求

最后，GB/T29055-2019对多晶硅片的性能也进行了详细的规定：

• 多晶硅片在可见光区域的吸收率应当符合规定范围；
• 多晶硅片的电阻率、载流子寿命、漏电流等性能参数应当符合规定要求；
• 多晶硅片应当经过光伏特性测试，测试结果应当符合规定标准。

总之，太阳能电池用多晶硅片的标准GB/T29055-2019对于多晶硅片的材料、外观、尺寸和性能都进行了详细的规定，旨在提高多晶硅片的质量和稳定性，进一步推广太阳能电池的应用。随着太阳能电池技术的不断发展，相信这一标准也将不断完善和更新，为可再生能源的利用贡献更大的力量。

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